Echo 关注TA 大家好,我是Echo! 普罗旺斯 自由职业 写了279,724,296字 最近回复 a崽 在文章《比亚迪腾势 N7 车型推出限时优惠政策,2000 元可抵 5.2 万元》中回复: 哇!现在这个价格太顶了吧!赶紧入手! 野人霸霸 在文章《前脸“胡子”车灯改了,比亚迪新款腾势 N7 亮相》中回复: 终于看到关注的车型,改款了,这波颜值,是我喜欢的,如果上市后的价格给力,就冲了,腾势这波改款真棒! 我是萌萌萌萌哒 在文章《前脸“胡子”车灯改了,比亚迪新款腾势 N7 亮相》中回复: 从去年就开始关注,终于等到改款了,眼前一亮,颜值不错,期待上市价格 海绵小宝宝P 在文章《前脸“胡子”车灯改了,比亚迪新款腾势 N7 亮相》中回复: 希望将来公布的价格能给力一点,这次改款已经非常让我心动了,腾势还是懂车主的喜好的! Wmx0819 在文章《前脸“胡子”车灯改了,比亚迪新款腾势 N7 亮相》中回复: 改的好,改的秒,改的呱呱呱。N7大麦大麦大麦 瘦瘦不瘦 在文章《前脸“胡子”车灯改了,比亚迪新款腾势 N7 亮相》中回复: 赵总主打就是一个听劝哈哈哈 栗子羊羊羊 在文章《前脸“胡子”车灯改了,比亚迪新款腾势 N7 亮相》中回复: 这车改款改的不错.眼前一亮的感觉,挺好看的,看来腾势去年认真听了车友的意见,2024大动作,够吸引人了 甜梦国的睡仙 在文章《东风纳米 01 纯电小车在襄阳量产下线:预售 7.98 万元起,明日上市》中回复: 这个设计很可以啊,比较符合当代人审美 追逐明天5555 在文章《科技昨夜今晨 0724:我国载人登月火箭主发动机已达到试验要求、国产核磁共振技术成功突破国外长期封锁、蔚来副总裁回应“部分充电桩不对其它车主开放”》中回复: 印度真的是有点无语,比亚迪成功躲过一劫 好好好看 在文章《因安全问题,印度拒绝比亚迪 10 亿美元建厂提案》中回复: 比亚迪公司提出了在印度合资建立新能源汽车工厂的计划,但遭到了印度的拒绝。
标签 > 标签文章:#晶体管# (共有33文章) 研究人员开发出新型 2D 晶体管,可模仿蝗虫大脑实现避障 IT之家4月23日消息,印度理工学院孟买分校和伦敦国王学院的研究人员合作开发了一种超低功耗的二维晶体管,能够模拟蝗虫的神经元来实现避障功能,有望降低未来人工智能的能源消耗。图源Pexels自动驾驶和机器人自主移动一直是机器学习和人工智能研发人员梦寐以求的目标,而避障则是这项技术能否在现实世界落地应用的关键。为此,双方研究人员致力于创造一种能以极低功耗实现避障的解决方案。研究人员在研究避障行为时,发 2024年04月23日 14:04 18 0 台积电董事长刘德音预测:未来 15 年每瓦 GPU 性能提升 1000 倍,GPU 晶体管数破万亿 【新智元导读】过去25年,半导体工艺制程不断逼近极限,才有了ChatGPT的诞生。如今世界最强英伟达GPU已有超2080亿个晶体管。台积电大佬预测,未来十年,1万亿晶体管GPU将问世。GTC2024大会上,老黄祭出世界最强GPU——BlackwellB200,整整封装了超2080亿个晶体管。比起上一代H100(800亿),B200晶体管数是其2倍多,而且训AI性能直接飙升5倍,运行速度提升30倍。 2024年03月29日 13:02 64 0 芯片制造成本瓶颈浮现,十年前价格就已停止下降 IT之家2月4日消息,芯片行业一直遵循着摩尔定律,即每两年集成电路上的晶体管数量翻一番,成本减半。然而,这一定律似乎正在失去效力。MonolithIC3D公司首席执行官ZviOr-Bach在2014年就提出,28纳米制程以后,晶体管的单位成本已经停止下降。近日,谷歌的MilindShah也证实了这一观点,他的研究表明,自2012年台积电量产28纳米平面工艺以来,1亿门晶体管的单位成本实际上有所上升 2024年02月04日 10:37 77 0 定格 28nm,“摩尔定律已死”添新证据:晶体管成本 10 年前已停止下降 IT之家2月3日消息,英伟达首席执行官黄仁勋近年来多次在公开场合表示,“摩尔定律已死”。虽然英特尔和AMD高管持不同观点,但谷歌近日公布的一份报告,再次佐证了黄仁勋的观点。摩尔定律是英特尔创始人之一戈登・摩尔的经验之谈,其核心内容为:集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过18个月到24个月便会增加一倍。换言之,处理器的性能大约每两年翻一倍,同时价格下降为之前的一半。1 亿栅极晶体管自 2024年02月03日 19:18 119 0 台积电首提 1nm A10 工艺,计划到 2030 年实现 1 万亿晶体管的单个芯片封装 IT之家12月28日消息,据Tom'sHardware 报道,在本月举行的IEDM2023会议上,台积电制定了提供包含1万亿个晶体管的芯片封装路线,这一计划与英特尔去年透露的规划类似。当然,1万亿晶体管是来自单个芯片封装上的3D封装小芯片集合,但台积电也在致力于开发单个芯片2000亿晶体管。为了实现这一目标,该公司重申正在致力于2nm级N2和N2P生产节点,以及1.4nm级A14和1nm 2023年12月28日 12:56 112 0 IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型,性能可较室温翻倍 感谢IT之家网友OC_Formula的线索投递!IT之家12月25日消息,在今年12月初旧金山举行的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,IBM研究人员展示了首款专为液氮冷却优化的先进CMOS晶体管。据IT之家了解,液氮沸点极低,只有-196°C,是目前主流电子器件无法承受的超低温。然而,在如此严寒的环境下,晶体管的电阻和漏电电流都会大幅降低,从而提升性能和降低功耗。IBM研发的纳米片晶体管将硅 2023年12月25日 11:04 128 0 室温下像人脑一样思考,AI 晶体管问世:可同时处理和存储信息 IT之家12月23日消息,科学家在AI领域又有重大突破,一种模仿人类大脑的AI突触晶体管近日问世。这种AI突触晶体管运作方式类似于人类认知,能够同时处理和存储信息,标志着从传统的机器学习任务到执行联想学习的显著转变。图源:XiaodongYan/NorthwesternUniversity更为重要的一点是,这种AI突触晶体管可以在室温环境下有效运行,具备运行快、低能耗、无电源也能保留信息等优点,有 2023年12月23日 16:02 116 0 英特尔最新技术展示:通过将 3D 堆叠 CMOS 晶体管与背面供电和背面接触相结合首次在 60nm 栅距下实现 CFET 感谢IT之家网友knsgccxr的线索投递!IT之家12月10日消息,由于当下摩尔定律放缓,堆叠晶体管概念重获关注,IMEC (比利时微电子研究中心)于2018年提出了堆叠互补晶体管的微缩版CFET技术(IT之家注:即垂直堆叠互补场效应晶体管技术,业界认为CFET 将取代全栅极GAA晶体管技术),英特尔和台积电也都进行了跟进。在今年的IEEE国际电子器件会议(IEDM2023) 2023年12月10日 16:02 87 0 不用光刻机也能生产高端芯片,华裔科学家晶体管研究实现新突破 IT之家5月26日消息,传统半导体芯片性能主要取决于多层晶体管的密集堆叠,如今随着新兴的人工智能,发展计算机芯片所需要的成分越发高昂。麻省理工学院(MIT)华裔科学家朱家迪领军的原子级晶体管研究于4月取得突破,该项目采用气象沉淀逐层堆叠工艺生产,不再需要使用光刻机,即可生产出一纳米甚至以下制程的芯片。这将使计算机的尺寸缩小到只有目前的千分之一大小,且功耗也只有目前的千分之一。▲ 图源MI 2023年05月26日 19:21 173 0 英特尔展示新堆叠式 CFET 晶体管架构,采用下一代 GAA 技术设计 IT之家5月23日消息,据ITFWorld2023会议上的报告,英特尔技术开发总经理AnnKelleher介绍了英特尔在关键领域的最新进展。其中之一便是介绍英特尔未来将采用的堆叠式CFET晶体管架构。这是英特尔首次向公众介绍这种新型晶体管设计,英特尔在会上概述了其晶体管技术的大概发展路径,即按照“PlanarFET平面场效应管”、“FinFET鳍式场效应管(当前主流)”、“RibbonFET全环绕 2023年05月23日 16:22 167 0 科学家创造出世界首个木质晶体管:运行频率约为 1Hz IT之家5月2日消息,电子器件的核心部件是晶体管,它可以控制电流的开关和大小,从而实现各种计算和信号处理功能。目前,晶体管的主要材料是硅,因为它具有良好的半导体特性,可以在微观尺度上制造出高性能的晶体管。然而,随着电子技术的发展,硅晶体管也面临着一些挑战,比如制造成本、能耗、环境影响等。因此,科学家们一直在寻找新的替代材料,以期打破晶体管的性能极限。近日,瑞典皇家理工学院和林雪平大学的研究团队合作 2023年05月02日 15:10 211 0 台积电:2nm 制程 2025 年量产,N3P 2024 年下半年量产 感谢IT之家网友肖战割割的线索投递!IT之家4月27日消息,美国当地时间4月26日,台积电在美国加州圣塔克拉拉市举办北美技术论坛,公布了其3nm工艺的最新进展和路线图。其中,最引人关注的是N3X工艺,将在2025年投入量产,为高性能计算(HPC)领域提供最强的芯片制造能力。据IT之家从台积电官方获悉,台积电的3nm工艺家族包括四个版本,分别是基础的N3、成本优化的N3E、性能提升的N3P和高压耐受 2023年04月27日 10:27 205 0 我国科学家实现极化激元“晶体管”,显著提升纳米尺度光操控能力 感谢IT之家网友航空先生、精神小伙、和尚的线索投递!IT之家2月12日消息,与电子相比,光子具有速度快、能耗低、容量高等诸多优势,光电融合系统被认为是构建下一代高效率、高集成度、低能耗信息器件的重要方向。我国科学家日前成功创制了极化激元“晶体管”,显著提升了纳米尺度的光操控能力,有望进一步提升光电融合系统的性能。IT之家了解到,该研究由国家纳米科学中心研究员戴庆团队完成,相关成果10日在国际学术期 2023年02月12日 11:49 195 0 晶体管,到底是谁发明的 大家新年好,我是小枣君。春节后的第一篇原创文章,我来填个坑,把年前那篇《什么是电子管(真空管)》(链接)的续集写完,也就是今天这篇——《什么是晶体管》。在上篇文章中,我给大家提到,电子管虽然能够实现检波和放大,但是存在很多缺点,例如体积大、故障率高、容易损坏(玻璃管子)、发热大、能耗高等等。正因为有这些缺点,专家们一直在思考,是不是有性能更好、缺点更少的元器件,可以取代电子管,支撑电子产业的长远发 2023年02月02日 14:14 236 0 罗姆开发出功耗降低 20% 的小型晶体管 IT之家12月27日消息,罗姆(ROHM)株式会社是全球知名的半导体厂商之一,也是第一家进入美国硅谷的日本企业。据日本经济新闻,罗姆现开发出了一种电力损耗比此前减少2成的小型晶体管“MOSFET”。与传统晶体管相比,这种小型晶体管采用了独创的电路设计技术,功率损耗减少了20%。IT之家了解到,这种半导体即使总长度只有1毫米也能够高效地切换电流的开闭,预计用于无线耳机和手表终端等可穿戴设备,该公司最 2022年12月27日 11:27 169 0 晶体管发明往事:误打误撞,反目成仇,共享诺贝尔奖 晶体管是如何工作的?发明者自己也不清楚……这真的没开玩笑。这两天IEEESpectrum发布一篇文章,关于晶体管诞生始末,其中披露:当年科学家确实仅仅实现电路定向导通效果,就对外公布了成果。甚至十年过去,相关贡献者已凭此拿下诺贝尔物理奖,圈内研究者仍表示:由于器件的三维特性,对其内部进行理论分析仍很困难。更有意思的是,该文章还曝光一段上下级反目的精彩内幕:两位下属申请专利没带上领导,后者带着愤怒和 2022年11月25日 20:16 160 0 中科院微电子研究所在 a-IGZO 晶体管领域取得重要进展,有助提升芯片集成密度 近日,中科院微电子研究所在非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)晶体管领域取得重要进展。据悉,a-IGZO被视为实现高密度三维集成的最佳候选沟道材料之一。三维集成技术的本质是为提高晶体管在芯片上的集成密度。因此,对于兼容后道工艺的a-IGZO晶体管来说,探索其尺寸的极限微缩是实现高密度三维集成的关键。▲ 器件结构示意图及TEM表征图,图源:中科院微电子研究所针对上述问题,微电子所重点实验室科研 2022年07月14日 19:30 348 0 消息称华为已提出适用于 3D-DRAM 的 CAA 晶体管 中国通信设备巨头华为提出了一种适用于3D-DRAM构建的垂直通道全能(channel-all-around,CAA)晶体管。据eeNews报道,该提案被包含在一篇论文中,将在2022年IEEE超大规模集成电路技术和电路研讨会上提交,该研讨会定于6月12日至17日在夏威夷檀香山举行。该器件是一种铟镓氧化锌(IGZO)场效应晶体管(FET),其IGZO、高k电介质氧化铪和IZO层围绕一个垂直柱排列。I 2022年05月31日 12:00 319 0 三星 3nm 芯片将于第二季度开始量产 IT之家4月28日消息,三星电子周四宣布,将在本季度(即未来几周内)开始使用3GAE(早期3nm级栅极全能)工艺进行大规模生产。这不仅标志着业界首创3nm级制造技术,也是首个使用环栅场效应晶体管(GAAFETs)的节点。“这是世界上首次大规模生产的GAA3纳米工艺,将以此提高技术领先地位,”三星在一份报告中写道。三星Foundry的3GAE工艺技术是首次使用GAA晶体管(三星将其称为“多桥沟道场效 2022年04月28日 20:46 442 0 重大突破!清华大学集成电路学院团队首次实现亚 1nm 栅极长度晶体管:等效 0.34nm 感谢IT之家网友肖战割割的线索投递!IT之家3月12日消息,据清华大学官方宣布,近日,清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破,首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管,并具有良好的电学性能。图1亚1纳米栅长晶体管结构示意图晶体管作为芯片的核心元器件,更小的栅极尺寸能让芯片上集成更多的晶体管,并带来性能的提升。Intel公司创始人之一的戈登・摩尔(GordonMoore) 2022年03月12日 18:08 286 0
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