Echo 关注TA 大家好,我是Echo! 普罗旺斯 自由职业 写了279,808,221字 最近回复 a崽 在文章《比亚迪腾势 N7 车型推出限时优惠政策,2000 元可抵 5.2 万元》中回复: 哇!现在这个价格太顶了吧!赶紧入手! 野人霸霸 在文章《前脸“胡子”车灯改了,比亚迪新款腾势 N7 亮相》中回复: 终于看到关注的车型,改款了,这波颜值,是我喜欢的,如果上市后的价格给力,就冲了,腾势这波改款真棒! 我是萌萌萌萌哒 在文章《前脸“胡子”车灯改了,比亚迪新款腾势 N7 亮相》中回复: 从去年就开始关注,终于等到改款了,眼前一亮,颜值不错,期待上市价格 海绵小宝宝P 在文章《前脸“胡子”车灯改了,比亚迪新款腾势 N7 亮相》中回复: 希望将来公布的价格能给力一点,这次改款已经非常让我心动了,腾势还是懂车主的喜好的! Wmx0819 在文章《前脸“胡子”车灯改了,比亚迪新款腾势 N7 亮相》中回复: 改的好,改的秒,改的呱呱呱。N7大麦大麦大麦 瘦瘦不瘦 在文章《前脸“胡子”车灯改了,比亚迪新款腾势 N7 亮相》中回复: 赵总主打就是一个听劝哈哈哈 栗子羊羊羊 在文章《前脸“胡子”车灯改了,比亚迪新款腾势 N7 亮相》中回复: 这车改款改的不错.眼前一亮的感觉,挺好看的,看来腾势去年认真听了车友的意见,2024大动作,够吸引人了 甜梦国的睡仙 在文章《东风纳米 01 纯电小车在襄阳量产下线:预售 7.98 万元起,明日上市》中回复: 这个设计很可以啊,比较符合当代人审美 追逐明天5555 在文章《科技昨夜今晨 0724:我国载人登月火箭主发动机已达到试验要求、国产核磁共振技术成功突破国外长期封锁、蔚来副总裁回应“部分充电桩不对其它车主开放”》中回复: 印度真的是有点无语,比亚迪成功躲过一劫 好好好看 在文章《因安全问题,印度拒绝比亚迪 10 亿美元建厂提案》中回复: 比亚迪公司提出了在印度合资建立新能源汽车工厂的计划,但遭到了印度的拒绝。
标签 > 标签文章:#三星电子# (共有187文章) 消息称三星电子探索逻辑芯片混合键合,最早 2026 年推出 3D 移动处理器 IT之家4月24日消息,据韩媒ETNews报道,三星电子正探索将混合键合技术用于逻辑芯片,最早2026年推出采用3D封装的2nm移动端处理器。IT之家注:混合键合技术是一种无凸块(焊球)的直接铜对铜键合技术。相较采用凸块的传统键合技术,混合键合可降低上下层芯片间距,提升芯片之间的电信号传输性能,增加IO通道数量。混合键合已在3DNAND闪存中使用,未来即将用于HBM4内存。新项目将是三星首次尝试在 2024年04月24日 18:48 25 0 消息称三星电子基本实现 NAND 闪存业务正常化,整体产线利用率达九成 感谢IT之家网友Diixx、咩咩洋的线索投递!IT之家4月22日消息,据韩媒ETNews报道,业内人士称三星电子近期已将NAND产能利用率提升至90%,相较一季度的80%进一步提升。IT之家注:对于三星电子的NAND业务,韩媒中ETNews和TheElec持较为乐观的态度,后者3月表示西安厂开工率已达70%;而《朝鲜日报》更为消极,认为三星继续在维持减产50%策略。▲ 三星电子第8代V- 2024年04月22日 18:25 35 0 消息称三星电子在硅谷开设先进处理器实验室,聚焦 RISC-V IP 开发 IT之家4月19日消息,据韩媒Sedaily报道,三星电子通过旗下三星综合研究院(SAIT,SamsungAdvancedInstituteofTechnology)在美国硅谷开设了面向人工智能芯片设计的先进处理器实验室。该实验室将专注于RISC-V架构处理器IP的设计工作,最终目标是打造基于RISC-V架构的自研人工智能芯片,打破英伟达在人工智能芯片领域的霸权。三星电子目前的大部分处理器产品均基 2024年04月19日 15:55 40 0 三星计划将 TC-NCF 用于 16 层 HBM4 内存生产,将推整体 HBM 定制服务 IT之家4月19日消息,三星半导体近日在韩国官网刊登了对两位高管关于HBM内存方面的采访,采访中这两位高管表示,三星计划将TC-NCF工艺用于16层HBM4内存的生产。TC-NCF是一种有凸块的传统多层DRAM间键合工艺,相较于无凸块的混合键合更为成熟;但因为凸块的引入,采用TC-NCF生产相同层数的HBM内存会相对更厚。三星表示,其前不久成功采用TC-NCF键合工艺推出了12层堆叠的36GBHB 2024年04月19日 14:19 43 0 消息称三星电子曾考虑在美国建设先进 DRAM 内存晶圆厂,最终放弃 IT之家4月17日消息,据韩媒Alphabiz报道,三星电子方面曾考虑在美国建设先进DRAM内存晶圆厂,但最终因为一系列原因转而选择建设先进封装设施。根据本周初达成的初步协议,三星电子将获得美国至多64亿美元(IT之家备注:当前约464亿元人民币)补贴,在得克萨斯州泰勒市建设两座先进逻辑代工厂、一座先进封装工厂和一座先进制程研发设施。报道称,三星电子本考虑在泰勒市建设一座10nm级先进制程的DRA 2024年04月17日 15:56 44 0 三星推出业界最快 10.7Gbps LPDDR5X 内存,实现 32GB 单封装容量 IT之家4月17日消息,三星近日宣布已开发出其首款支持高达10.7Gbps速率的LPDDR5XDRAM内存。参考IT之家以往报道,目前其他厂商的LPDDR5XDRAM内存最高速率为9.6Gbps。三星表示,这款10.7GbpsLPDDR5X内存基于12nm级工艺技术,相较上代产品性能提高25%以上,容量提高30%以上。同时该内存将移动DRAM的单封装容量扩充至32GB,满足端侧AI应用对高性能大容 2024年04月17日 11:26 38 0 三星电子联席 CEO 庆桂显访问多家台企,加强 AI 内存、服务器合作 感谢IT之家网友西窗旧事的线索投递!IT之家4月16日消息,综合台媒《经济日报》和DIGITIMES报道,三星电子联席CEO、DS部门负责人庆桂显(KyeHyunKyung)近日访问台湾地区,同台积电、广达、纬创就AI方面的合作交流。广达旗下服务器企业云达(QCT)就此发布了领英动态,欢迎庆桂显的到访。消息称庆桂显此行还参观了云达与英特尔合作打造的5GOpenLab,由广达高层亲自接待。据悉,庆桂 2024年04月16日 16:25 38 0 消息称三星电子本季度 NAND 闪存产能环比提升 30%,年内维持约 50% 规模上限 IT之家4月16日消息,据韩媒《朝鲜日报》报道,三星电子本季度在韩国平泽和中国西安NAND生产线的晶圆投片量相较上季度提升约30%。不过三星方面对进一步的增产持谨慎态度,以免影响到NAND价格的涨势。在马力全开的情况下,三星电子NAND闪存生产线季度晶圆投片量可超200万片。而目前三星内部对二至四季度的晶圆投片量均设下了120万片的红线,这意味着整体产能利用率维持在50%左右。▲图源三星官网报道预 2024年04月16日 10:42 39 0 三星电子获美国至多 64 亿美元补贴,将在得克萨斯州建设 2nm 晶圆厂 感谢IT之家网友西窗旧事、华南吴彦祖的线索投递!IT之家4月15日消息,美国政府今日宣布将向三星电子提供至多价值64亿美元(IT之家备注:当前约464.64亿元人民币)的补贴,而三星电子将在得克萨斯州投资超过400亿美元,建设包括2nm晶圆厂在内的一系列半导体项目。与台积电一样,三星电子此次同美国政府签订的是不具约束力的初步备忘录。三星电子将在得克萨斯州的两个地点建立一个半导体生态集群,包括:在泰 2024年04月15日 18:33 52 0 消息称三星并购关键人物 Ahn Joonghyun 回归,有望启动新一轮大型海外并购 IT之家4月15日消息,据韩媒hankyung报道,三星前并购主管AhnJoonghyun(안중현,也称JamesAhn)现已回归三星电子管理支持办公室,重新负责业务战略和并购工作。AhnJoonghyun是三星业务并购和剥离的关键人物,曾领导了价值80亿美元的哈曼国际收购案,并推动了包括向惠普出售打印机业务、向希捷出售机械硬盘业务在内的系列剥离行动。AhnJoonghyun于2022年4月离开三 2024年04月15日 18:20 84 0 消息称三星电子最快本月晚些时候量产第 9 代 V-NAND 闪存 IT之家4月12日消息,据韩媒Hankyung报道,三星最快于本月晚些时候实现第9代V-NAND闪存的量产。三星高管Jung-BaeLee去年10月表示,其下一代NAND闪存将于“今年初”量产,拥有业界领先的堆叠层数。三星于2022年11月量产了236层第8代V-NAND,这意味着两代之间的间隔为一年半左右。▲ 三星第8代V-NAND闪存Hankyung称第9代V-NAND闪存的堆叠层数 2024年04月12日 11:00 48 0 SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存量产 IT之家4月9日消息,据韩媒Businesskorea报道,SK海力士、三星电子有望于年内先后启动1c纳米DRAM内存的量产。进入20~10nm制程后,一般以1+字母的形式称呼内存世代,1cnm即对应美光的1-gammanm表述,为第六个10+nm制程世代。三星方面称呼上一世代1bnm为“12nm级”。三星近期在行业会议Memcon2024上表示,其计划在今年年底前实现1cnm制程的量产;而近日据 2024年04月09日 14:59 50 0 消息称三星与韩国互联网巨头 NAVER 启动 Mach-2 人工智能芯片联合研发 IT之家4月8日消息,据韩媒ETNews报道,三星电子与韩国互联网巨头NAVER双方已启动人工智能芯片Mach-2的联合研发。消息人士透露,双方正在讨论Mach-2芯片开发设计的重点。该芯片将由NAVER设计核心软件,三星电子则负责芯片的设计和生产。三星电子与NAVER于2022年达成研发合作协议,为超大规模人工智能模型(如NAVER的HyperCLOVAX模型)开发定制半导体解决方案,最近引发关 2024年04月08日 19:57 43 0 三星电子获内存专利诉讼有利判决,无需向 Netlist 支付 3.03 亿美元赔偿 IT之家4月7日消息,据韩媒MK报道,美国专利审查与上诉委员会(PTAB)近日在一起内存专利无效案件中作出了有利于三星电子的判决。这意味着三星无需向存储技术企业Netlist支付3.03亿美元(IT之家备注:当前约21.94亿元人民币)的赔偿。三星电子曾与Netlist达成过专利合作授权协议,但该协议已于2020年结束。双方的专利争端可追溯到2021年底,当时Netlist指控三星在HBM2/2E 2024年04月07日 19:51 55 0 三星宣布完成 16 层混合键合堆叠工艺技术验证,有望在 HBM4 内存大面积应用 IT之家4月7日消息,综合韩媒TheElec和ETNews报道,三星电子先进封装团队高管DaeWooKim在2024年度韩国微电子与封装学会年会上表示近日完成了采用16层混合键合HBM内存技术验证。DaeWooKim表示,三星电子成功制造了基于混合键合技术的16层堆叠HBM3内存,该内存样品工作正常,未来16层堆叠混合键合技术将用于HBM4内存量产。▲图源TheElec,下同相较现有键合工艺,混合 2024年04月07日 17:08 75 0 三星得州芯片工厂投资额增至约 440 亿美元 感谢IT之家网友窝窝头吃大口、洛颖、我抢了台、Coje_He的线索投递!IT之家4月5日消息,据《华尔街日报》,三星电子计划将其得克萨斯州泰勒工厂项目投资总额增加一倍以上,达到约440亿美元(IT之家备注:当前约3185.6亿元人民币)。知情人士称,三星此次追加投资主要将集中在泰勒市周边,三星计划在当地再建一家芯片制造厂,以及一座先进封装中心。▲ 三星电子泰勒晶圆厂工地照。图源三星官网三 2024年04月05日 19:17 51 0 Omdia:三星、SK 海力士下半年 DRAM 内存晶圆投片量有望回归减产前水平 IT之家4月3日消息,据《朝鲜日报》援引Omdia方面报告,三星电子、SK海力士下半年DRAM内存晶圆投片量有望回归减产前水平,结束近一年的减产,实现DRAM领域业务正常化。报告显示,三星电子本季度开始将月度DRAM内存晶圆投片量上调至60万片,相较上季度提升13%;预计三星将于下半年开始进一步上调投片量至每月66万片,持平减产前水平。近期有消息指出,三星电子位于华城和平泽的部分DRAM产线的晶圆 2024年04月03日 18:00 57 0 底薪即为普通员工均薪 3.57 倍,三星以优厚待遇为 AGI 计算实验室延揽人才 IT之家4月2日消息,据韩媒Sedaily报道,三星电子正以优厚待遇为其新成立的AGI(通用人工智能)计算实验室招募AI领域人才,开出的年度底薪就有5亿韩元(IT之家备注:当前约267.5万元人民币)。根据韩国CXO研究所2022年的数据,当时三星电子普通员工的平均年薪为1.4亿韩元,5亿韩元是这一数值的3.57倍。三星AGI计算实验室于3月宣布成立,在韩美两国均设有机构,由前谷歌开发人员禹东赫( 2024年04月02日 18:35 60 0 三星电子去年股东回报率达 77.6%,远超微软和 Meta IT之家 4月2日消息,三星电子股东回报率近期备受关注,投资者对于当前的回报率并不满意,他们希望公司能够提高股息并采取其他措施提升股价。不过令人意外的是,尽管三星电子赖以维持高额利润的内存芯片行业经历了严重下滑,但该公司股东回报率仍旧超越了微软和Meta等科技巨头。据悉,过去一年,三星电子、微软、Meta等公司的财报分析显示,三星电子的股东回报率高达77.6%,远高于微软的57.5%和M 2024年04月02日 09:47 57 0 Omdia:2023 年半导体行业规模下降 8.8%,英伟达跻身全球营收第二 IT之家3月29日消息,行业分析机构Omdia近日公布了2023年半导体行业整体研报,显示去年该行业规模达5448亿美元(IT之家备注:当前约3.94万亿元人民币),相较2022年下滑8.8%。Omdia表示,由于宏观经济的变化,2023年半导体行业需求疲软但原件供应增加,市场形势发生逆转,凸显了半导体行业的周期性。▲图源Omdia下同而在行业热点方面,AI和车用领域有着显著增长:AI逻辑芯片领域 2024年03月29日 14:54 59 0
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