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美光将在西安封测工厂投资逾 43 亿元人民币，引入新产线制造 DRAM、NAND 及 SSD
IT之家6月16日消息，美光科技今日宣布，计划在未来几年中对其位于中国西安的封装测试工厂投资逾43亿元人民币。公告称，美光科技已决定收购力成半导体（西安）有限公司（力成西安）的封装设备，还计划在美光西安工厂加建新厂房，并引进全新且高性能的封装和测试设备，以期更好地满足中国客户的需求。美光科技表示：“该项投资秉承美光布局全球封装测试的理念，将提升公司在西安制造多种产品组合的灵活性，使美光能直接运营其
阅读更多Echo 2023.06.16 09:41 230浏览 0回复
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400 层堆叠 3D NAND 闪存将至，东京电子宣布开发出全新蚀刻技术
感谢IT之家网友肖战割割的线索投递！IT之家6月12日消息，东京电子（TEL）近日宣布，已开发出一种用于存储芯片的通孔蚀刻技术，可用于制造400层以上堆叠的3DNAND闪存芯片。TEL表示，该技术首次将电蚀刻应用带入到低温范围中，并创造性地发明了具有极高蚀刻速率的系统。▲ 图源东京电子具体而言，这项新技术可以在短短33分钟内完成10微米深度的高纵横比（IT之家备注：纵横比是指晶圆上形成图
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TrendForce 集邦咨询预测 2023Q2 DRAM 价格跌幅扩大至 18%，NAND 扩大至 13%
IT之家5月10日消息，根据TrendForce集邦咨询发布的最新报告，受服务器出货不如预期、库存压力持续等因素影响，DRAM及NAND价格在2023年第2季度预估会继续下跌。DRAM价格预估跌幅扩大至13%~18%在PCDRAM方面，主要是DDR4内存库存充足，DDR5供应相对紧张，在第2季度预估跌幅扩大至15%~20%。在服务器DRAM方面，由于服务器整机需求持续下降在第2季度预估跌幅同样扩大
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TrendForce：2022 年第四季度 NAND Flash 总营收环比下跌 25%
IT之家3月16日消息，TrendForce集邦咨询今日发布报告称，NANDFlash市场自2022年下半年以来面临需求逆风，供应链积极去化库存加以应对，此情况导致第四季度NANDFlash合约价格下跌20%-25%，其中EnterpriseSSD是下跌最剧烈的产品，跌幅约23%-28%。报告指出，在原厂积极降价求量的同时，客户为避免零部件库存再攀高，备货态度消极，使得第四季度 NAND
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西部数据宣布进一步削减生产和投资，NAND 晶圆产量将减少至 30%
感谢IT之家网友航空先生的线索投递！IT之家2月7日消息，据韩媒BusinessKorea报道，在内存半导体行业持续低迷的情况下，全球NAND闪存市场第四大公司西部数据宣布将进一步缩减设备投资和生产。西部数据 1月31日在2022年第四季度业绩电话会议上表示，2023财年设备投资总额将达到23亿美元（当前约156.17亿元人民币）。据IT之家了解，这一数字比2022年10月披露的27亿美
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三星已连续 30 年是全球第一大 DRAM 厂商，连续 20 年最大 NAND 闪存厂商
1月29日消息，据国外媒体报道，业务涵盖消费电子及面板、存储芯片等的三星电子，多项业务在全球的份额高于其他厂商，在DRAM和NAND闪存方面的份额，就明显高于其他厂商。而在最新的报道中，外媒还披露，在DRAM市场，三星电子的份额已连续30年位居全球第一，在NAND闪存市场已连续20年居首。外媒在报道中还提到，在去年三季度，三星电子在全球DRAM市场的份额高达40.6%，在NAND闪存市场的份额也高
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Omdia：2023 年全球 NAND 市场规模将与 DRAM 相近
IT之家12月30日消息，市场研究公司Omdia预测，明年全球NAND闪存市场规模为585.13亿美元，与DRAM市场（595.82亿美元）相近。预计到2025年，NAND闪存市场规模将达到843.78亿美元，首次超过DRAM市场（833.97亿美元）。有预测称，明年（2023年）NAND闪存市场规模将接近DRAM市场。但是，与NAND闪存市场增长的因素相比，DRAM价格的下跌更为快速。分析师认为
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TrendForce：预计 2022-2025 年 NAND Flash 年增长率均低于 30%
IT之家12月27日消息，TrendForce集邦咨询今日发布报告称，预计2022年ClientSSD在笔记本电脑的渗透率达92%，2023年约96%。报告指出，随着疫情“宅经济”效应退场，加上总体经济不佳导致消费性电子需求急冻，未来ClientSSD将是需求放缓最明显的产品，连带使整体NANDFlash需求位元增长受限，预计2022-2025年的年增率均低于30%。容量方面，2022年Clien
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机构预计 NAND 闪存销售额四季度仍将下滑，三季度已下滑 24.3%
12月2日消息，据国外媒体报道，今年三季度，由于消费电子产品及服务器的出货量低于预期，导致NAND闪存的出货量与平均价格双双下滑，NAND闪存的销售额，也降至137.1亿美元，环比下滑24.3%。而从机构的报告来看，四季度全球NAND闪存市场的状况依旧不会乐观，需求与价格仍将下滑，销售额预计将环比下滑近20%。对于四季度，研究机构称除三星电子之外的大部分厂商，在三季度的财报发布之后，在产能规划方面
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TrendForce：原厂降价求售重挫 Q3 NAND Flash 产业营收，环比跌幅高达 24.3%
IT之家11月23日消息，今日，TrendForce 集邦咨询发布报告称，第三季NANDFlash市场仍不敌需求疲弱冲击，无论在消费电子或服务器领域出货均不及预期，导致第三季度NANDFlash价格跌幅扩大至18.3%。报告指出，第三季度供应商位元出货量环比减少6.7%，平均销售单价持续下跌，整体NANDFlash产业营收约137.1亿美元（约978.89亿元人民币），环比衰退幅度高达2
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三星宣布量产第 8 代 V-NAND 闪存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps
IT之家11月7日消息，虽然还没有发布任何实际产品，但三星电子现宣布已经开始大规模生产其236层3DNAND闪存芯片，该公司将其命名为第8代V-NAND。新一代存储芯片可带来2400MTps的传输速度，当搭配高端主控使用时，它可使得消费级SSD的传输速度轻松超过12GBps。据介绍，第8代V-NAND可提供1Tb(128GB)的方案，三星电子没有公开IC的大小和实际密度，不过他们称之为业界最高的比
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群联 CEO 潘健成：NAND 闪存价格已跌破成本，即将触底
感谢IT之家网友OC_Formula的线索投递！IT之家10月11日消息，据DigiTimes报道，闪存控制芯片提供商群联的CEO 潘健成表示，NAND闪存的市场价格已低于现金成本，这表明离市场价格触底已经不远了。潘健成表示，可以预见，NAND闪存的价格将很快达到最低点，未来只能上涨。然而，与此同时，这也意味着需求最近急剧下降，制造商将面临风险。他们现在要么以低价出售产品，以弥补至少部分
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TrendForce：预计第四季度 NAND Flash 产品价格跌幅达 15%-20%
IT之家9月26日消息，今日，TrendForce集邦咨询发布报告称，目前NANDFlash正处于供过于求，下半年起买方着重去化库存而大幅减少采购量，卖方开出破盘价以巩固订单，使第三季度wafer价格跌幅达30%-35%，但各类NANDFlash终端产品仍疲弱，原厂库存因此急速上升，导致第四季度NANDFlash价格跌幅扩大至15%-20%。IT之家了解到，报告指出，绝大部分原厂的NANDFlas
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三星 Q2 在全球 NAND 闪存市场份额有下滑，但韩国厂商份额仍超 50%
9月2日消息，据国外媒体报道，研究机构的报告显示，今年二季度三星电子NAND闪存的销售额环比有下滑，但仍是第一大厂商，韩国厂商的市场份额也依然在50%之上。从研究机构的报告来看，二季度三星电子NAND闪存的销售额为59.8亿美元，环比下滑5.4%，所占的份额也由上一季度的35.3%，降至33%。虽然三星电子NAND闪存的销售额在二季度环比有下滑，所占的份额也有降低，但近三分之一的市场份额，仍远高于
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TrendForce：卖方库存压力沉重，三季度 NAND 闪存价格跌幅扩大到 30% 至 35%
感谢IT之家网友魇白的线索投递！IT之家9月2日消息，据 TrendForce集邦咨询9月1日发布的调查报告，进入2022年第三季下半年，旺季不足导致去库存延迟。NAND闪存市场的交易一直冷淡，买家处于被动观望状态，倾向于不协商定价。工厂库存压力已达到临界点，制造商正在触底反弹以达成交易。此举将导致制造商定价进一步下降，集邦咨询再次下调3Q22NAND闪存晶圆合约价格，预估价格跌幅由原先
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TrendForce：受铠侠原料污染事件影响影响，NAND Flash 合约价 Q2 上涨约 3%-8%
IT之家8月31日消息，今日，TrendForce集邦咨询发布报告称，受铠侠原物料污染事件影响，第二季度NANDFlash合约价上涨约3~8%。报告指出，消费端需求持续低迷，导致笔电、chromebook、电视、智能手机等需求位元走弱，使客户端库存水位一路攀升，受惠enterpriseSSD采购维持强劲动能，进而抵消消费类需求低迷带来的冲击，最终第二季度供应商的位元出货量环比减少 1.3
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东芯股份：19nm 工艺 NAND Flash 产品完成首轮流片，正在调试过程中
8月19日，东芯股份在投资者互动平台表示，公司19nm先进制程的NANDFlash产品已完成了首轮流片，目前正在产品调试的过程中。东芯股份称，公司在更新工艺方面不断钻研，从38nm、24nm，再到现在正在开发的19nm的工艺。通过更新工艺来为客户带来更具性价比、更高容量的产品。关于3D NAND芯片的研发，东芯股份透露，公司目前聚焦于中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，暂不涉及3D
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紧追 SK 海力士，三星电子将在今年推出 236 层 NAND 闪存
据BusinessKorea报道，三星电子将在今年内发布236层NAND闪存产品。此外，它还计划在本月开设一个新的研发中心，负责更先进NAND闪存产品的开发。当前，存储芯片制造商正在竞相增加其产品层数。SK海力士最近完成了238层产品的开发，美光科技宣布开发出全球首款232层NAND闪存产品。在NAND闪存市场，三星电子的市场份额占了35%，为全球最高。不过，三星电子目前的层数记录只为176层。韩
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TrendForce 预计 NAND 闪存需求明年增长 28.9%，供给增长 32%
据国外媒体报道，研究机构TrendForce 预计，DRAM供过于求的状况在明年将会更严重，预计市场规模增长8.5%，首次低于10%，但供给预计增长14%，价格预计会继续下滑。而从外媒的报道来看，研究机构预计供给增速超过需求增速的，不只是DRAM，NAND闪存预计也会供过于求。外媒在报道中表示，研究机构预计NAND闪存的市场需求在明年增长28.9%，供给增长32.1%。不过与DRAM供过
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TrendForce：DRAM、NAND 双双供过于求，来年市场恐延续下行态势
研究机构TrendForce日前发布对存储半导体供需情况预测，判断2023年DRAM市场按bit为单位的产品需求增速将仅为8.3%，创多年新低，而供给能力则将增长约14.1%，该机构预计在供过于求情况下，2023年DRAM整体价格恐将持续下滑，而NANDFlash市场尽管更具弹性，但明年上半年价格也将继续承压。TrendForce认为当前下游厂商处于主动去库存阶段，成本等因素制约下，PC、服务器厂
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