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铠侠 2023 财年营收 10766 亿日元，同比下滑 16%，连续两年亏损
IT之家5月16日消息，铠侠近日公布了截至3月31日的2023财年业绩。铠侠2023财年实现10766亿日元（IT之家备注：当前约500.62亿元人民币）销售额，同比下滑16%。铠侠2023财年的净亏损为2437亿日元（当前约113.32亿元人民币），相较2022财年扩大105.6%，净亏损率达到23%，连续两年录得亏损。铠侠表示2023年经营状况恶化的主要运营还是上半财年（2023年4月至9月）
阅读更多Echo 2024.05.16 12:19 30浏览 0回复
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Hafnia 铁电成突破 1000 层关键，三星 6 月将演示全新 QLC 3D VNAND 技术
IT之家5月11日消息，三星高管于2023年6月预测，V-NAND在2030年将叠加到1000层以上，而最新消息称铪基薄膜铁电（HafniaFerroelectrics）将成为这项成就的关键。三星高管GiwukKim将于今年6月发表技术演讲，课题为“在推动1000层低电压和QLC3DVNAND进程中，深入分析Hafnia铁电的关键推动因素，以及实验演示和建模”。在摘要部分中写到，在金属带工程栅极中
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AI 潮影响明显，TrendForce 上修本季度 DRAM 内存、NAND 闪存合约价涨幅预测
IT之家5月7日消息，TrendForce集邦咨询在今日的最新研报中称，AI浪潮对DRAM内存和NAND闪存市场带来明显影响，推动该机构调升本季度两类存储产品的合约价涨幅。具体而言，TrendForce原先预估2024年二季度DRAM内存合约价上涨3~8%，现估计为13~18%；而在NAND闪存方面，原预估上涨13~18%，新预估为15~20%，仅eMMC/UFS涨幅较低，为10%。▲图源&nbs
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消息称 SK 海力士测试东京电子低温蚀刻设备，有望简化闪存生产
IT之家5月7日消息，据韩媒TheElec报道，SK海力士正向东京电子（TEL）发送测试晶圆，以测试后者的低温蚀刻设备，有望在未来NAND闪存生产中导入。目前，提升堆叠层数是提升单颗3DNAND闪存颗粒容量的主要途径。然而在层数提升的过程中，在闪存颗粒中蚀刻垂直通道的难度随着深宽比的增高逐渐加大，速度也随之降低。厂商不得不考虑将整体NAND闪存分割为多个闪存堆栈制造，之后将各个堆栈键合为一体。不过
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消息称三星电子基本实现 NAND 闪存业务正常化，整体产线利用率达九成
感谢IT之家网友Diixx、咩咩洋的线索投递！IT之家4月22日消息，据韩媒ETNews报道，业内人士称三星电子近期已将NAND产能利用率提升至90%，相较一季度的80%进一步提升。IT之家注：对于三星电子的NAND业务，韩媒中ETNews和TheElec持较为乐观的态度，后者3月表示西安厂开工率已达70%；而《朝鲜日报》更为消极，认为三星继续在维持减产50%策略。▲ 三星电子第8代V-
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美光宣布业界率先推出 232 层 QLC 闪存，同步发布 2500 固态硬盘
感谢IT之家网友华南吴彦祖的线索投递！IT之家4月17日消息，美光宣布其在业界率先推出232层QLCNAND闪存。该闪存在消费级零售端已用于特定英睿达固态产品中，在消费级OEM端已随2500固态硬盘向客户出样，在企业端已开始为存储企业进行批量生产。美光表示其232层QLC拥有2400MT/s的闪存I/O速率，相较自家上代176层QLC闪存提升50%，同时读取性能和编程性能也分别提升了24%和31%
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消息称三星电子本季度 NAND 闪存产能环比提升 30%，年内维持约 50% 规模上限
IT之家4月16日消息，据韩媒《朝鲜日报》报道，三星电子本季度在韩国平泽和中国西安NAND生产线的晶圆投片量相较上季度提升约30%。不过三星方面对进一步的增产持谨慎态度，以免影响到NAND价格的涨势。在马力全开的情况下，三星电子NAND闪存生产线季度晶圆投片量可超200万片。而目前三星内部对二至四季度的晶圆投片量均设下了120万片的红线，这意味着整体产能利用率维持在50%左右。▲图源三星官网报道预
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消息称三星电子最快本月晚些时候量产第 9 代 V-NAND 闪存
IT之家4月12日消息，据韩媒Hankyung报道，三星最快于本月晚些时候实现第9代V-NAND闪存的量产。三星高管Jung-BaeLee去年10月表示，其下一代NAND闪存将于“今年初”量产，拥有业界领先的堆叠层数。三星于2022年11月量产了236层第8代V-NAND，这意味着两代之间的间隔为一年半左右。▲ 三星第8代V-NAND闪存Hankyung称第9代V-NAND闪存的堆叠层数
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SK 海力士计划振兴旗下原英特尔 NAND 固态硬盘业务 Solidigm，但内部信心不足
IT之家4月9日消息，据韩媒NEWSIS报道，SK海力士计划振兴旗下子公司Solidigm，但除一系列外部挑战外还面临内部信心不足的问题。SK海力士于2021年以70亿美元（当前约506.8亿元人民币）完成了收购原英特尔NAND闪存和固态硬盘部门的第一阶段收购，并将这部分业务命名为Solidigm。然而Solidigm自诞生起就面临着低迷的NAND闪存行情，至今已遭遇7万亿韩元（IT之家备注：当前
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铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务
IT之家4月7日消息，据日经xTECH报道，铠侠CTO宫岛英史在近日举办的第71届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标2030~2031年推出1000层的3DNAND闪存，并对存储级内存（SCM）业务进行了重组。铠侠与西部数据携手开发NAND闪存技术，目前这对合作伙伴最先进的产品是218层堆叠的BICS83D闪存。BICS8闪存可实现3200MT/s的I/O速率。另一家主要NAND企业三
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集邦咨询：铠侠及西部数据产能利用率将恢复至 88%，带动 2024 年 NAND 闪存产量增长 10.9%
IT之家3月20日消息，集邦咨询近日发布报告，表示铠侠及西部数据率先提升产能利用率，带动全年NANDFlash产量同比增长10.9%。集邦咨询表示基于目前的发展趋势，NANDFlash涨价将持续到2024年第2季度，部分供应商希望今年可以减少亏损、降低成本，并重新开始获利。铠侠和西部数据今年3月产能利用率恢复至近九成，其余业者均未明显增加投产规模。TrendForce集邦咨询进一步表示，为应对下半
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群联 CEO 潘建成警告 SSD 价格飞涨导致需求下降，阻碍 NAND 闪存行业发展
IT之家3月12日消息，群联CEO潘建成近日接受Digitimes采访时表示，SSD固态硬盘进一步提价可能会严重降低市场需求，NAND闪存制造商不应任由需求超过供应，而应努力增加产量满足需求。NAND闪存及SSD固态硬盘近期的涨价是三星和美光等制造商在2022年和2023年降价的后续反应。在2020年后的计算机需求热潮恢复正常后，闪存需求明显下降，但NAND制造商并未正确预估需求下降的速度，因此供
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2023Q4 NAND 闪存行业产值环比增长 24.5%：三星增长 44.8% 居首位
IT之家3月6日消息，集邦咨询近日发布市场研究报告，表示2023年第4季度NAND闪存产值114.9亿美元，环比增长24.5%，2024年第1季度NAND产值将继续保持上涨，预估环比会继续增长两成。三星第四季营收以三星（Samsung）增长幅度最高，主要是服务器、笔记本电脑与智能手机需求均大幅增长。三星该季度出货量环比增加35%，平均销售价格环比增加12%，带动营收上升至42亿美元，环比增加44.
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消息称西部数据-铠侠合并谈判有望 4 月下旬再度启动
IT之家2月27日消息，据日媒《朝日新闻》报道，NAND闪存领域两大重要企业西部数据与铠侠的合并谈判有望于4月下旬再次启动。根据IT之家以往报道，自2021年来，西部数据与铠侠一直就合并事宜进行谈判。而在去年10月，据信因持有铠侠股份的SK海力士的阻挠，双方最近一轮合并谈判破裂。此后西部数据宣布将分拆闪存业务，计划于今年下半年完成。参考行业分析机构TrendForce的调查报告，在2023年第三季
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AI 热潮下企业固态硬盘需求退居二线，三星维持 NAND 闪存减产 50% 策略不变
IT之家2月23日消息，据韩媒报道，三星电子将维持对NAND闪存减产的运营策略，原因是近期NAND价格上涨并非由需求提升驱动，企业订单不足。根据昨日的一份行业报告，三星电子目前针对NAND减产50%，此外SK海力士的闪存减产幅度也大致相当。▲ 三星电子第八代V-NAND闪存。图源三星新闻稿随着各大闪存生产商的积极减产，供应端正推动NAND价格稳步上涨。根据韩媒조선일보提供的数据，以USB
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手机电脑存储芯片大降价，铠侠遭遇自 2017 年脱离东芝以来最大亏损
IT之家2月10日消息，日本芯片制造商Kioxia周五发布的财报显示，由于手机和电脑内存持续降价，其2023财年三个季度净亏损达2540亿日元，这也是该公司自2017年从东芝剥离后出现的最大亏损。报告显示，截至2023年12月的第三季度运营亏损较上一季度的1008亿日元收窄至650亿日元（当前约31.39亿元人民币），铠侠前三个季度累计亏损2540亿日元（IT之家备注：当前约122.68亿元人民币
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江波龙首颗自研 2D MLC NAND 闪存发布：容量 32Gb，带宽 400MB/s
IT之家1月31日消息，江波龙公司宣布，首颗自研32Gb（4GB）2DMLCNANDFlash于近日问世。该产品采用BGA132封装，支持ToggleDDR模式，数据访问带宽可达400MB/s，将有望应用于eMMC、SSD等产品上（该公司拥有雷克沙等品牌）。IT之家注：MLC是指Multi-LevelCell多层单元闪存，每一个单元可以存储两位数据，相比SLC单层单元闪存的密度要更高一些，不过成本
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TrendForce 预测 DRAM 与 NAND Flash 今年一季度涨价 18%
IT之家1月21日消息，TrendForce研究显示，今年第一季度已然成为增长季，DRAM合约价季涨幅约13~18%；NANDFlash则是18~23%。分析师指出，虽然目前市场对第二季整体需求看法仍属保守，预计DRAM、NANDFlash第二季合约价季涨幅收敛至3~8%。不过，在面对2024年市场需求展望仍保守的前提下，二者价格走势均取决于供应商产能利用率情况。参考IT之家此前报道，DRAM产品
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SK 海力士在美组建闪存开发子公司 SK HNA，“挖英特尔墙角”募集工程师提升自家 NAND 竞争力
感谢IT之家网友OC_Formula的线索投递！IT之家12月29日消息，据外媒 ChosunBiz 报道，SK 海力士日前在美国组建了一家名为SKHNA（SKhynixNANDDevelopmentAmerica）的子公司，并通过“挖英特尔墙角”招募了多位“具有数十年经验”的专家，以期提高自家NAND竞争力。据悉，SKHNA 公司位于美国加州圣何塞，由约3
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大厂减产保价策略奏效，DRAM / NAND 存储芯片 Q4 合约价优于预期
IT之家11月29日消息，虽然双十一多数终端产品销售平淡，但在三大原厂（三星、SK海力士及美光）大幅减产、控制产出的前提下，存储芯片现货涨价趋势持续，其中NAND因亏损较严重，涨幅较为明显。据中国台湾媒体《工商时报》，存储芯片大厂减产保价策略十分奏效，Q4合约价报价优于市场预期，其中DDR5上涨15～20％，DDR4上涨10～15％，DDR3上涨10％，而原先预估仅5～10％。同时，NAND每家平
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