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消息称三星电子考虑在 HBM4 内存上采用 1c nm 制程 DRAM，提升能效竞争力
IT之家5月17日消息，韩媒ZDNetKorea今日报道称，三星电子考虑在HBM4内存上使用1cnm制程（第六代10+nm级）DRAM裸片，以提升其产品在能效等方面的竞争力。三星电子代表今年早些时候在行业会议Memcon2024上表示，该企业计划在今年底前实现1cnm制程的量产；而在HBM4方面，三星电子预计在明年完成该新型AI内存的开发，2026年实现量产。在目前已量产的HBM3E上，三星并未像
阅读更多Echo 2024.05.17 14:42 35浏览 0回复
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结合 N12FFC+ 和 N5 工艺，台积电已着手准备 HBM4 基础 Dies
IT之家5月17日消息，科技媒体AnandTech近日发布博文，表示台积电将出席本周举办的2024欧洲技术研讨会，展示使用12FFC+（12纳米级）和N5（5纳米级）工艺技术制造的HBM4基础Dies，从而提高HBM4的性能和能效。IT之家翻译台积电设计与技术平台高级总监内容如下：我们正与主要的HBM存储器合作伙伴（美光、三星、SKhynix）合作，在先进节点上实现HBM4全堆栈集成。12FFC+
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SK 海力士、三星电子：整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存
IT之家5月14日消息，据韩媒Hankyung报道，两大存储巨头SK海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示，整体DRAM生产线中已有两成用于HBM内存的生产。相较于通用DRAM，HBM内存坐拥更高单价，不过由于TSV工艺良率不佳等原因，对晶圆的消耗量是传统内存的两倍乃至三倍。内存企业唯有提升产线占比才能满足不断成长的HBM需求。正是在这种“产能占用”的背景下，三星电子代表预计，不仅H
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SK 海力士 HBM4E 内存有望采用 1c nm 32Gb DRAM 裸片，进一步提升容量
IT之家5月14日消息，SK海力士在2024年度IEEEIMW国际存储研讨会上不仅分享了HBM4E内存开发周期将缩短到一年的预期，也介绍了该内存的更多细节。SK海力士技术人员KimKwiWook表示，这家企业计划使用1cnm制程的32GbDRAM裸片构建HBM4E内存。▲ SK海力士HBM3E内存背面图事实上，三大内存厂商目前均尚未量产1cnm（第六代10+nm级）制程的DRAM内存颗粒
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消息称三星电子 HBM 内存开发部门双轨化，新团队专责 HBM4 开发
IT之家5月10日消息，据韩媒TheElec报道，三星电子内部已对其HBM内存开发部门进行“双轨化”改造，以增强其在HBM业务上的竞争力。具体而言，由现有DRAM设计团队负责HBM3E内存的后续研发工作，而三月成立的HBM产能质量提升团队则专注开发下一代HBM内存——HBM4。新设立的HBM专门开发团队由三星电子DRAM开发副总裁HwangSang-joon负责，直接向存储器业务部总裁李禎培汇报工
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HBM3E 订单争夺战继续，三大内存企业瞄准博通需求
IT之家5月9日消息，据韩媒ZDNetKorea报道，继争夺英伟达及AMD的AIGPU/加速器用HBM3E内存合同后，三星电子、SK海力士、美光不约而同地盯上了芯片设计大厂博通的HBM3E订单。博通去年实现了299.5亿美元（IT之家备注：当前约2165.39亿元人民币）的半导体相关收入，在无厂设计企业中排到第三，仅次于英伟达和高通。博通业务中与HBM内存相关的主要是交换机芯片和ASIC设计：至迟
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三星存储业务重心转向企业领域： 目标今年 HBM 产量增加 3 倍，明年再翻番
IT之家5月8日消息，三星公司在最近召开的财报电话会议中表示，未来公司存储业务的重心不再放在消费级PC和移动设备上，而是放在HBM、DDR5服务器内存、企业级SSD等企业市场。IT之家翻译三星存储业务副总裁KimJae-june在电话会议上表达内容如下：我们计划到2024年年底，HBM芯片的供应量比去年增加3倍以上。我们已经完成协调HBM芯片供应商，在共同努力下目标在2025年让HBM芯片产量再翻
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SK 海力士加速 HBM4 内存量产，目标 2025 下半年推出首批产品
IT之家5月6日消息，据韩媒TheElec和《首尔经济新闻》报道，SK海力士在5月2日举行的“AI时代，SK海力士蓝图和战略”记者招待会上表示，其HBM4内存的量产时间已提前到2025年。具体来说，SK海力士计划在2025年下半年推出采用12层DRAM堆叠的首批HBM4产品，而16层堆叠HBM稍晚于2026年推出。SK海力士上月同台积电达成HBM基础裸片（BaseDie）合作谅解备忘录，当时定于2
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TrendForce：2025 年 HBM 内存价格调涨约 5~10%，占 DRAM 总产值预估将逾三成
IT之家5月6日消息，市场分析机构TrendForce集邦咨询今日发布研报，表示2025年HBM内存市场将继续繁荣，产能和市场份额都将进一步提升。研报指出，2023年HBM在整体DRAM内存中的位元产出占比仅有2%，今年有望成长到5%，明年更将跨越10%节点；而在市场份额方面，去年HBM占整体DRAM的8%，今年将达21%，2025年有望成长到超过三成。▲图源 TrendForce集邦咨
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三星：生成式 AI 带动服务器固态硬盘销量大增，HBM 需求旺盛致通用内存吃紧
IT之家4月30日消息，在今日举行的三星电子一季度财报电话会议上，三星表示生成式AI的流行对于其存储业务的多个品类都带来了明显影响。对于NAND、固态硬盘业务而言，生成式AI的需求提升了IT企业对服务器的需求，进而导致各大服务器业者对企业级存储产品的采购力度大幅提升，最终加速固态硬盘市场的增长。三星预估AI热潮将推动其今年企业级固态硬盘销售同比增长80%。这一趋势在性价比更佳的QLC产品上更为明显
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拒绝卡脖子，消息称华为组建联盟开发 HBM2：计划 2026 年量产
IT之家4月27日消息，消息源TheInformation近日发布博文，称华为正在牵头组建内存生产商联盟，计划开发国产高带宽存储器（HBM）。报道称华为正整合国内供应链计划开发国产HBM2内存，该联盟目前共有2条生产线，计划2026年研发和量产HBM2内存。IT之家查询公开资料，发现2023年11月有消息称飞凯材料和华为合作，尝试HBM+先进封装。还有一篇报道称，HBM产业链主要由IP、上游材料、
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消息称三星和 AMD 签署价值 4 万亿韩元的 HBM3E 12H 供货协议
IT之家4月24日消息，根据韩媒BridgeEconomy报道，三星和AMD公司签署了价值4万亿韩元（IT之家备注：当前约210.8亿元人民币）的HBM3E供货合同。报道称三星和AMD签署的这份合同中，AMD采购三星的HBM，而作为交换三星会采购AMD的AI加速卡，但具体换购数量目前尚不清楚。三星日前表示将于今年上半年量产HBM3E12H内存，而AMD预估将会在今年下半年开始量产相关的AI加速卡。
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消息称 SK 海力士 HBM4 内存基础裸片有望采用台积电 7nm 制程
IT之家4月23日消息，韩媒TheElec在报道中表示，预测SK海力士将在HBM4内存的基础裸片（BaseDie）部分采用台积电7nm制程。IT之家注：目前台积电7nm系产能大部分已迁移至6nm变体，因此韩媒的表达更适合作为“7nm系”制程理解。HBM内存的基础裸片是DRAM堆叠的底座，同时也作为控制器负责同处理器进行通信。SK海力士上周同台积电签署了HBM内存合作谅解备忘录，双方的首个合作重点就
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三星计划将 TC-NCF 用于 16 层 HBM4 内存生产，将推整体 HBM 定制服务
IT之家4月19日消息，三星半导体近日在韩国官网刊登了对两位高管关于HBM内存方面的采访，采访中这两位高管表示，三星计划将TC-NCF工艺用于16层HBM4内存的生产。TC-NCF是一种有凸块的传统多层DRAM间键合工艺，相较于无凸块的混合键合更为成熟；但因为凸块的引入，采用TC-NCF生产相同层数的HBM内存会相对更厚。三星表示，其前不久成功采用TC-NCF键合工艺推出了12层堆叠的36GBHB
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初创公司 Celestial AI 推出 DDR5、HBM 内存互连方案
IT之家4月16日消息，初创公司CelestialAI开发了一种新型互连解决方案，利用DDR5和HBM内存来提高芯片间的效率，据推测AMD可能成为首批采用这种方案的厂商之一。据介绍，CelestialAI借助硅光子技术将HBM和DDR5内存结合在一起，可以堆叠两个HBM和四条DDR5DIMM，最大可实现 72GB+2TB的内存容量，第一代技术可提供1.8Tb/s每平方毫米的速度，第二次技
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三星电子联席 CEO 庆桂显访问多家台企，加强 AI 内存、服务器合作
感谢IT之家网友西窗旧事的线索投递！IT之家4月16日消息，综合台媒《经济日报》和DIGITIMES报道，三星电子联席CEO、DS部门负责人庆桂显（KyeHyunKyung）近日访问台湾地区，同台积电、广达、纬创就AI方面的合作交流。广达旗下服务器企业云达（QCT）就此发布了领英动态，欢迎庆桂显的到访。消息称庆桂显此行还参观了云达与英特尔合作打造的5GOpenLab，由广达高层亲自接待。据悉，庆桂
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三星宣布完成 16 层混合键合堆叠工艺技术验证，有望在 HBM4 内存大面积应用
IT之家4月7日消息，综合韩媒TheElec和ETNews报道，三星电子先进封装团队高管DaeWooKim在2024年度韩国微电子与封装学会年会上表示近日完成了采用16层混合键合HBM内存技术验证。DaeWooKim表示，三星电子成功制造了基于混合键合技术的16层堆叠HBM3内存，该内存样品工作正常，未来16层堆叠混合键合技术将用于HBM4内存量产。▲图源TheElec，下同相较现有键合工艺，混合
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三星组建 HBM 产能质量提升团队，加速 AI 推理芯片 Mach-2 开发
IT之家4月1日消息，三星电子DS部门负责人庆桂显近日在社交媒体上表示三星内部正采取双轨AI半导体策略，同步提高在AI用存储芯片和AI算力芯片领域的竞争力。在AI用存储芯片部分，三星组建了由DRAM产品与技术负责人HwangSang-joon领导HBM内存产能与质量提升团队，这是其今年建立的第二个HBM专门团队。三星近期在HBM内存上进行了大规模的人才投入，旨在赢回因策略失误而被SK海力士拿下的H
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SK 海力士：HBM 今年销售额将占整体内存逾一成，明年供应继续紧张
IT之家3月28日消息，SK海力士CEO郭鲁正在昨日举行的年度股东大会上表示，今年HBM在整体DRAM内存的销售占比将达到两位数，明年供应情况依旧紧张。在回答股东为何SK海力士在AI爆火、HBM热销的去年仍出现9万亿韩元（IT之家备注：当前约482.4亿元人民币）净亏损的提问时，郭鲁正表示这是因为占销售额绝大部分的常规DRAM产品价格下滑，而HBM虽然火爆但去年销售额占比仅有个位数。除了HBM的占
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美光：HBM 内存消耗 3 倍晶圆量，明年产能基本预定完毕
IT之家3月21日消息，美光在发布季度财报后举行了电话会议。在该会议上美光CEO桑杰・梅赫罗特拉（SanjayMehrotra）表示，相对于传统内存，HBM对晶圆量的消耗明显更高。美光表示，在同一节点生产同等容量的情况下，目前最先进的HBM3E内存对晶圆量的消耗是标准DDR5的三倍，并且预计随着性能的提升和封装复杂度的加剧，在未来的HBM4上这一比值将进一步提升。参考IT之家以往报道，这一高比值有
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