标签文章：#dram#
-
TrendForce：需求仍疲弱，第 3 季 DRAM 价格下跌 3 到 8%
据TrendForce研究，尽管有旺季效应和DDR5渗透率提升的支撑，第3季DRAM市场仍不敌俄乌战事、高通膨导致消费性电子需求疲弱的负面影响，进而使得整体DRAM库存上升，成为第3季DRAM价格下跌3到8%的主因，且不排除部分产品别如PC与智能手机领域恐出现超过8%的跌幅。其中，手机DRAM方面，TrendForce表示，在历经第2季智能手机需求低迷，品牌库存又亟待消耗的状况，导致原厂出货迟滞，
阅读更多Echo 2022.06.20 15:33 326浏览 0回复
-
美光 1β DRAM 内存年底日本量产，1γ 预计 2024 年台湾量产
IT之家6月10日消息，据台湾经济日报消息，台湾美光今天组织媒体参观美光A3厂，台湾美光董事长卢东晖宣布表示，A3厂将下半年导入先进极紫外光设备，为美光1γDRAM 早日量产预做准备。据介绍，美光规划2024年量产1γDRAM芯片。据报道，美光的DRAM制造基地主要在中国台湾和日本，其中 1αDRAM已在台量产。另外，1βDRAM将于今年底在日本量产，之后将转移到台湾生产。IT
阅读更多 -
SK 海力士宣布向英伟达提供业内首批 HBM3 DRAM，带宽可达 819GB / s
SK海力士宣布公司开始量产HBM3——拥有当前业界最佳性能的DRAM。*HBM(HighBandwidthMemory，高带宽存储器)：是由垂直堆叠在一起的DRAM芯片组合而成的高价值、高性能内存，其数据处理速度大幅领先于传统DRAM。HBM3DRAM是第四代HBM产品，此前三代分别为HBM（第一代）、HBM2（第二代），以及HBM2E（第三代）。SK海力士于去年十月宣布成功开发出业界首款HBM3
阅读更多 -
韩研究所：韩国 DRAM 技术领先中国 5 年，NAND 闪存领先 2 年
IT之家5月31日消息，据BusinessKorea报道，韩国进出口银行海外经济研究所（OERI）估计，韩国在DRAM技术方面比中国领先5年，NAND闪存方面领先2年。该研究机构在5月30日表示，今年中国的DRAM制造商长鑫存储正在推动第二代10nm级（1y或16纳米至17纳米）DRAM的大规模生产。另一方面，三星电子和SK海力士正计划在今年年底或明年大规模生产第五代10nm级（1b或12纳米至1
阅读更多 -
美光 CEO：中国台湾工厂今年将导入 EUV
集微网消息，美光总裁暨CEO梅罗特拉（SanjayMehrotra）今日表示，台中厂今年将导入EUV。据台媒报道，梅罗特拉指出，中国台湾拥有世界上最先进的逻辑和DRAM半导体技术，美光在中国台湾创建DRAM卓越制造中心，是先进的半导体制造生态系统，并部署由人工智能自动化驱动的智能制造系统，有助于生产运营和高质量。ICInsights的报告显示，美光在2021年是第三大DRAM供应商，DRAM销售额
阅读更多 -
IC Insights：三星、SK 海力士、美光占据 2021 年 DRAM 市场份额 94%
当地时间5月24日，ICInsights根据《麦克林报告》摘编称，在过去30年中，DRAM市场的特点是经历了惊人的增长时期和毁灭性的崩溃年份。近年来，DRAM市场在2019年下跌37%，但在2021年飙升42%。无论是什么原因，“繁荣、萧条”的周期使主要的DRAM供应商的数量从1990年代中期的20家降至现在的6家。2021年，三家最大的供应商三星、SK海力士和美光总共占有94%的DRAM市场份额
阅读更多 -
TrendForce：一季度 DRAM 总产值达 240.3 亿美元，三星、SK 海力士、美光前三
IT之家5月19日消息，TrendForce集邦咨询最新报告显示，2022年第一季度DRAM总产值环比减少4.0%，达240.3亿美元（约1619.62亿元人民币）。报告指出，主要原因在于市场通胀加剧与需求减弱，以及俄乌冲突于2月底爆发影响终端消费表现。同时，客户端的库存水位持续提升，故消化库存为首要目标。IT之家了解到，2022年第一季度全球DRAM自有品牌内存营收排名前五位分别为三星（Sams
阅读更多 -
Yole：2022 年 DRAM / NAND 闪存市场规模预计将创历史新高
市调机构YoleDédevelopement近日发布《内存行业年度状况报告》显示，2022年，DRAM、NAND闪存市场将分别增长25%、24%到1180亿美元、830亿美元，均创历史新高。2021-2027年，独立内存市场预计将以8%的CAGR增长至2600多亿美元。然而，季节性因素仍将存在。据Evertiq报道，Yole存储器高级市场与技术分析师SimoneBertolazzi博士表示，“在贸
阅读更多 -
三星定目标：2022 年 6 月前全面开发出第六代、11 nm 1c DRAM 芯片
IT之家4月15日消息，据BusinessKorea的报道，三星已经设定了目标，即在今年6月前完成11纳米的第六代1cDRAM芯片的开发。据说该公司已经要求其研究人员停止或跳过1bDRAM的开发，这是一种12纳米芯片。此前有消息称，三星已经中断了12-13nm工艺级别内存研发，表示三星13nm级别的内存被间接承认失败。报道称，三星希望扩大与竞争对手的技术差距，这些竞争对手包括SK海力士和美光科技。
阅读更多 -
内存降价，南亚科 Q1 营收达 99.46 亿元新台币同比季减 6.8%
中国台湾DRAM厂商南亚科今（11）日公布的财报显示，该公司第一季度营收达199.46亿元新台币，季减6.8%，年增12.5%。南亚科是当今全球第四大DRAM厂商，市占率在3%左右。1995年，台塑集团依靠日本冲电气提供的技术授权成立南亚科技。在成立后的25年中，通过先后与IBM、英飞凌、奇梦达、美光合作以及自主研发，南亚科将DRAM制程从0.32微米提升至20纳米。南亚科自2007年来连续六年亏
阅读更多 -
联电晋华 DRAM 案最新进展：缺乏足够证据，晋华申请无罪宣判
集微网消息，当地时间4月4日，在晋华与美光诉讼的最新庭审中，晋华辩护律师JackDiCanio表示，合作方联电向晋华提供的DRAM技术并非是窃取的，检方并未证明晋华知道或打算与联电联合窃取美光的技术和商业秘密。JackDiCanio认为，这次审判的争议之处在于，晋华是否相信（联电的观点）？回顾该案件，2017年2月，中国台湾司法部调查局突袭了联电办公室，查获一些电子设备等物品，美国方面已将这些物品
阅读更多 -
TrendForce：受俄乌冲突等影响，预计第二季度 DRAM 价格下跌约 0-5%
IT之家3月28日消息，今日，TrendForce集邦咨询发布报告称，预计第二季度整体DRAM均价跌幅约0~5%。IT之家了解到，报告指出，由于买卖双方库存略偏高，再加上 PC、笔电、智能手机等需求面受近期俄乌冲突和高通货膨胀影响，进而削弱消费者购买力道，目前仅服务器端为存储器需求主要来源，因而第二季度整体DRAM仍有供过于求情形。TrendForce集邦咨询表示，PCDRAM方面，受俄
阅读更多 -
三星电子、SK 海力士、美光被指合谋垄断 DRAM 市场，美法院驳回集体诉讼
IT之家3月8日消息，据TheLec报道，美国第九巡回上诉法院日前驳回了律所HagensBerman发起的集体诉讼，该所诉称三星电子、SK海力士、美光等DRAM头部企业在2016-2018年期间合谋抬高市场价格，损害消费者利益。上诉法院表示，被告行为在自由市场中是恰当的，不足以作为确凿的市场操纵依据。IT之家了解到，该诉讼是美国律师事务所“哈根斯・伯曼”召集当地消费者集团提出的。哈根斯-伯曼表示:
阅读更多 -
三星宣布 LPDDR5X DRAM 已应用于高通骁龙移动平台
IT之家3月3日消息，今日，三星宣布，高通技术公司已经验证了三星14纳米16Gb低功耗双倍数据速率5X(英文简称LPDDR5X)DRAM，并应用于高通技术公司的骁龙（Snapdragon）移动平台。IT之家了解到，自去年11月开发出三星首款基于14nm的LPDDR5XDRAM以来，三星与高通技术公司合作，优化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于骁龙移动平台。三星表示，LPDDR5X
阅读更多 -
TrendForce：内存降价，2021 年 Q4 整体 DRAM 产值萎缩
咨询机构集邦咨询（TrendForce）日前表示，2021年第四季度，全球DRAM总产值为250.3亿美元，环比下降5.8%，多数DRAM制造商当季出货量下滑。根据TrendForce分析，上述表现源于手机等诸多终端产品零部件供应不畅，间接制约下游厂商DRAM备货意愿，对于DRAM库存周转天数在10周以上的白牌PC制造商影响尤为明显。展望2022年一季度，TrendForce认为，处于传统需求淡季
阅读更多 -
JEDEC 公布 HBM3 内存标准：带宽最高 819 GB/s，最多 16 层堆叠 64GB
IT之家1月28日消息，SK海力士此前率先推出了HBM3高带宽内存芯片，其采用多层堆叠方式，使用TSV硅通孔工艺制造，单片容量可达24GB，最高带宽可达896GB/s。JEDEC组织今日公布了HBM3内存标准，规范了产品的功能、性能以及容量、带宽等特性。这一代内存相比HBM2，带宽增加了一倍。独立通道的数量从8个增加至16个，再加上虚拟通道，使得每个芯片支持32通道。芯片可以采用4层、9层、12层
阅读更多 -
三星电子欲开发全球首个 3D DRAM，有望 2025 年问世
IT之家1月19日消息，据BusinessKorea报道，三星电子正在加快3DDRAM的研究和开发，这家半导体巨头已经开始加强相关团队建设，比如招聘人员。过去，DRAM是通过将晶体管和电容器排在一个平面上生产的。然而，随着20世纪80年代末DRAM容量超过4兆，提高DRAM的密度变得困难，使得重新排列电路和电容成为必然。当时，DRAM行业分为“沟槽组”和“堆栈组”，前者选择将电路和储存器放在平面下
阅读更多 -
机构：西安封锁扰乱 DRAM / NAND 生产 价格跌幅缩小至 8%
韩国投资机构KBSecurities最新报告指出，中国西安的封锁措施应该会扰乱物流和DRAM/NAND生产。因此看到2022年上半年供需动态改善，这应该会改善芯片价格的前景。据该机构分析，三星电子已开始降低其西安工厂的晶圆投入，美光工厂的产能利用率也在下降，DRAM封测产线的工人已减少到正常水平的50%，减产应该会促使主要设备制造商增加库存，对上半年的价格谈判产生积极的影响。相较于市场研究中心预测
阅读更多 -
美光：西安疫情封锁将导致 DRAM 芯片供应延迟
存储芯片供应商美光于当地时间周三表示，中国西安因疫情而实施的封锁将导致其DRAM芯片供应延迟，该芯片广泛用于数据中心。据路透社报道，美光称本月早些时候生效的严格限制措施可能会越来越难以缓解，并导致其制造基地的员工人数减少。美光在一篇博客文章中指出，“我们正在利用我们的全球供应链，包括分包商合作伙伴，以为客户提供DRAM产品服务。”另外，美光表示，我们预计这些努力将能够满足大部分客户需求，但在启动网
阅读更多 -
钰创卢超群：明年专用 DRAM 短缺将部分缓解
12月29日消息，钰创科技董事长卢超群表示，2022年专用DRAM内存的供应仍将受到限制，但额外代工产能的到来将部分缓解供应紧张的局面。据digitimes报道，卢超群称，明年下半年包括初创公司在内的更多无晶圆厂公司将获得更多代工支持。同时，随着韩国内存供应商大幅缩减专用DRAM芯片的产量，预计中国台湾公司将在2022年享受大量订单转移，明年的市场状况仍将有利于中国台湾地区的存储器产业供应链。此外
阅读更多