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SK 海力士、三星电子：整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存
IT之家5月14日消息，据韩媒Hankyung报道，两大存储巨头SK海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示，整体DRAM生产线中已有两成用于HBM内存的生产。相较于通用DRAM，HBM内存坐拥更高单价，不过由于TSV工艺良率不佳等原因，对晶圆的消耗量是传统内存的两倍乃至三倍。内存企业唯有提升产线占比才能满足不断成长的HBM需求。正是在这种“产能占用”的背景下，三星电子代表预计，不仅H
阅读更多Echo 2024.05.14 16:41 38浏览 0回复
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消息称 SK 海力士、三星电子陆续停产 DDR3 内存，带动市场价格上行
IT之家5月13日消息，据台媒《经济日报》报道，SK海力士、三星电子，将从下半年停止向市场供应DDR3内存，带动近期DDR3DRAM价格上涨，最高涨幅达两成。DDR3目前已成为利基产品，在机顶盒、Wi-Fi路由器、交换机、显示器等领域仍有应用。台媒在报道中称，三星电子已向客户通知本季度末停止供应DDR3；而SK海力士已于去年底完成无锡晶圆厂的产能转换，逐步淡出了DDR3的制造。另一家DRAM内存大
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消息称三星电子已提前组建 1dnm DRAM 内存技术开发团队，目标重建优势
IT之家5月9日消息，韩媒Sedaily援引行业消息人士的话称，三星电子近日决定组建1dnmDRAM内存的技术开发团队。目前DRAM内存行业的最新制程是10+nm系列的第五代工艺，即1bnm；三大内存厂商——三星电子、SK海力士和美光的下一代DRAM工艺1cnm将于今年三季度至明年投入量产；而1dnm工艺又在1cnm之后，预计量产时间晚于2026年。三星电子在开发每代DRAM工艺时，一般直到接近量
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AI 潮影响明显，TrendForce 上修本季度 DRAM 内存、NAND 闪存合约价涨幅预测
IT之家5月7日消息，TrendForce集邦咨询在今日的最新研报中称，AI浪潮对DRAM内存和NAND闪存市场带来明显影响，推动该机构调升本季度两类存储产品的合约价涨幅。具体而言，TrendForce原先预估2024年二季度DRAM内存合约价上涨3~8%，现估计为13~18%；而在NAND闪存方面，原预估上涨13~18%，新预估为15~20%，仅eMMC/UFS涨幅较低，为10%。▲图源&nbs
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现代 DRAM 内存发明人罗伯特・登纳德逝世，享年 91 岁
IT之家5月6日消息，据美媒TheJournalNews讣告版，现代DRAM内存发明人罗伯特・登纳德（RobertDennard）于2024年4月23日逝世，享年91岁。罗伯特・登纳德于1932年9月5日出生于美国得克萨斯州特雷尔。其于1958年获得卡内基理工学院（IT之家注：现卡内基梅隆大学）电气工程博士学位，并加入IBM担任研究员。在1960年代，计算机对内存的需求日益提升，与此同时流行的磁芯
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消息称三星计划量产的 1c DRAM 使用 MOR 光刻胶
IT之家4月30日消息，根据韩媒TheElec报道，三星正在考虑在其下一代DRAM极紫外（EUV）光刻工艺中应用金属氧化物抗蚀剂（MOR）。IT之家注：MOR被业内认为是下一代光刻胶（PR），会接棒目前先进芯片光刻中的化学放大胶（CAR）。CAR在PR分辨率、抗蚀刻性和线边缘粗糙度方面已经无法完全满足未来光刻的需求。三星正考虑在第6代10纳米DRAM（1cDRAM）中使用MOR，主要在六层或七层上
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SK 海力士宣布将清州 M15X 定为 DRAM 生产基地，向厂房投资约 5.3 万亿韩元
IT之家4月24日消息，SK海力士宣布，为应对用于AI的半导体需求剧增，决定扩充AI基础设施（Infra）的核心产品即HBM等新一代DRAM的生产能力（Capacity）。当天，公司通过董事会决议，将建设在韩国忠清北道清州市的M15X定为新的DRAM生产基地，并决定向厂房（Fab）建设投资约5.3万亿韩元（IT之家备注：当前约279.31亿元人民币）。SK海力士将于本月末开始进行建设工程，计划在2
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消息称三星电子曾考虑在美国建设先进 DRAM 内存晶圆厂，最终放弃
IT之家4月17日消息，据韩媒Alphabiz报道，三星电子方面曾考虑在美国建设先进DRAM内存晶圆厂，但最终因为一系列原因转而选择建设先进封装设施。根据本周初达成的初步协议，三星电子将获得美国至多64亿美元（IT之家备注：当前约464亿元人民币）补贴，在得克萨斯州泰勒市建设两座先进逻辑代工厂、一座先进封装工厂和一座先进制程研发设施。报道称，三星电子本考虑在泰勒市建设一座10nm级先进制程的DRA
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三星推出业界最快 10.7Gbps LPDDR5X 内存，实现 32GB 单封装容量
IT之家4月17日消息，三星近日宣布已开发出其首款支持高达10.7Gbps速率的LPDDR5XDRAM内存。参考IT之家以往报道，目前其他厂商的LPDDR5XDRAM内存最高速率为9.6Gbps。三星表示，这款10.7GbpsLPDDR5X内存基于12nm级工艺技术，相较上代产品性能提高25%以上，容量提高30%以上。同时该内存将移动DRAM的单封装容量扩充至32GB，满足端侧AI应用对高性能大容
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美光：预计台湾地区地震对本季度 DRAM 内存供应造成中等个位数百分比影响
感谢IT之家网友华南吴彦祖的线索投递！IT之家4月12日消息，美光于10日向美国证券交易委员会SEC递交8-K重大事项公告，预计本月初的台湾地区地震对其二季度DRAM内存供应造成“中等个位数百分比”的影响。美光在台湾地区设有桃园和台中两座生产据点。根据TrendForce集邦咨询此前报告，地震导致当时桃园产线上超六成的晶圆报废。美光在公告中表示美光全体员工安然无恙，设施、基建和生产工具未遭受永久性
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TrendForce：台湾地区地震对二季度 DRAM 内存出货量影响不足 1%
IT之家4月11日消息，据TrendForce集邦咨询昨日研报，近日的台湾地区地震对第二季度总DRAM位元产出影响不足1%。目前主要有四家内存厂商在台湾地区设有生产据点，即美光、南亚科技、力积电、华邦电子。研报表示这四家企业在震后均出现了一定数量需要检查或报废的晶圆。▲ 图源TrendForce集邦咨询不过这些厂区本身设备均有一定的抗震能力，对震后产能影响较小，均已大致恢复100%的产线
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消息称美光计划二季度针对 DRAM 内存和固态硬盘产品调涨 25%
感谢IT之家网友Diixx、航空先生的线索投递！IT之家4月9日消息，据台媒DIGITIMES报道，美光计划二季度针对DRAM内存和固态硬盘产品调涨25%。多家存储模组厂已获悉美光方面的调价意向，价格谈判仍在进行中。美光此次调价的背景，一方面是云服务业者和企业级存储需求的强劲回升，另一方面则是近期台湾地区地震对产能造成影响。美光在台湾地区的新北林口和台中均设有内存厂区，可生产其最先进的1-beta
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SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存量产
IT之家4月9日消息，据韩媒Businesskorea报道，SK海力士、三星电子有望于年内先后启动1c纳米DRAM内存的量产。进入20~10nm制程后，一般以1+字母的形式称呼内存世代，1cnm即对应美光的1-gammanm表述，为第六个10+nm制程世代。三星方面称呼上一世代1bnm为“12nm级”。三星近期在行业会议Memcon2024上表示，其计划在今年年底前实现1cnm制程的量产；而近日据
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TrendForce：美光 DRAM 产能受台湾地区花莲地震影响，内存厂商纷纷停止报价
IT之家4月7日消息，据TrendForce集邦咨询研报，美光在台DRAM内存产能遭受4月3日台湾地区花莲县海域里氏7.3级地震影响，致多家上游内存原厂和下游模组厂停止报价。研报表示，美光在台湾地区部署了大量产能，于新北林口和台中均设有厂区，可生产最先进的1-beta内存。根据IT之家以往报道，美光未来的1-gamma制程内存也将首先在台量产。▲美光台中工厂美光官方于4日发布公告，表示所有在台员工
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Omdia：三星、SK 海力士下半年 DRAM 内存晶圆投片量有望回归减产前水平
IT之家4月3日消息，据《朝鲜日报》援引Omdia方面报告，三星电子、SK海力士下半年DRAM内存晶圆投片量有望回归减产前水平，结束近一年的减产，实现DRAM领域业务正常化。报告显示，三星电子本季度开始将月度DRAM内存晶圆投片量上调至60万片，相较上季度提升13%；预计三星将于下半年开始进一步上调投片量至每月66万片，持平减产前水平。近期有消息指出，三星电子位于华城和平泽的部分DRAM产线的晶圆
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三星计划 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代
IT之家4月1日消息，据外媒SemiconductorEngineering报道，三星电子在行业会议Memcon2024上表示计划于2025年后在业界率先进入3DDRAM内存时代。DRAM内存行业将于本十年后期将线宽压缩至10nm以下。而在如此精细的尺度下，现有设计方案难以进一步扩展，业界因此正在探索包括3DDRAM在内的多种创新型内存设计。▲图源 SemiconductorEngine
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SK 海力士：HBM 今年销售额将占整体内存逾一成，明年供应继续紧张
IT之家3月28日消息，SK海力士CEO郭鲁正在昨日举行的年度股东大会上表示，今年HBM在整体DRAM内存的销售占比将达到两位数，明年供应情况依旧紧张。在回答股东为何SK海力士在AI爆火、HBM热销的去年仍出现9万亿韩元（IT之家备注：当前约482.4亿元人民币）净亏损的提问时，郭鲁正表示这是因为占销售额绝大部分的常规DRAM产品价格下滑，而HBM虽然火爆但去年销售额占比仅有个位数。除了HBM的占
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三星提振 DRAM 业务，Omdia 预估今年下半年产能恢复到 2023 年前水平
IT之家3月16日消息，市场调查机构Omdia近日发布预估报道，认为三星的DRAM 产能有望在2024年下半年恢复到2023年前的水平。三星DRAM业务在2023年遭遇滑铁卢，前三个季度分别出现了超过4.58万亿、4.36万亿和3万亿韩元的亏损，第4季度亏损进一步收窄，2023年全年利润率下降了95%。Omdia预估2024年上半年，三星的晶圆产量累计约为157.5万片，占去年同期210
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新一代移动端 DRAM 内存规范 LPDDR6 有望今年 3 季度公布
IT之家3月11日消息，据韩媒etnews报道，新一代移动端DRAM内存规范LPDDR6有望今年3季度公布。业内人士透露，行业标准制定组织JEDEC固态技术协会近日在葡萄牙首都里斯本召开了下一代移动端随机存取处理器标准咨询会。此次会议中，与会各方进行了丰富的讨论，完成了LPDDR6标准的定稿工作，预计将于今年3季度正式发布。目前广泛使用的LPDDR5规范发布于2019年。而升级版LPDDR5X规范
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消息称 SK 海力士今年将增 8 台 EUV 光刻机，推动 DRAM 内存产品技术演进
感谢IT之家网友西窗旧事的线索投递！IT之家2月27日消息，韩媒etnews近日报道称SK海力士将于今年引入8台EUV光刻机，推动DRAM内存产品的技术演进。SK海力士现有5台光刻机。到今年末，若加上韩媒报道中称的8台，其拥有的EUV光刻机总数将达13台，较年初翻倍有余，大幅提升EUV曝光能力。SK海力士于第四代10纳米级制程——1anm制程中首次引入EUV光刻，当时仅在1个步骤中使用；而来到目前
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