标签 > 标签文章:#硅超快传感器# (共有1文章) 高能物理研究所研制出硅超快传感器:具有良好抗辐照性能 IT之家12月27日消息,据高能物理研究所,近日,中国科学院高能物理研究所科研团队研制出具有良好抗辐照性能的硅超快传感器。该传感器基于低增益雪崩放大二极管(Low-GainAvalancheDiode,LGAD)。经ATLAS合作组与RD50合作组测试,该传感器是目前抗辐照性能最好的LGAD硅超快传感器,达到ATLAS实验高颗粒度高时间分辨探测器项目(HighGranularityTimingDe 2021年12月27日 16:43 402 0
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