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国家存储器基地项目二期于武汉开工:月规划产能 20 万片

发布于 2020/06/21 09:42 707浏览 0回复 257

国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工。国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。

国家存储器基地项目一期于2016年底开工建设,进展顺利,32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产,并成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片。

项目计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂,总投资240亿美元。

其中,一期主要实现技术突破,并建成10万片/月产能;二期规划产能20万片/月,两期项目达产后月产能共计30万片。


本文由LinkNemo爬虫[Echo]采集自[https://www.ithome.com/0/493/919.htm]

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