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内存条和SSD将涨价,日韩贸易战将引起NAND与DRAM双涨效应

发布于 2019/07/15 15:09 499浏览 0回复 476

近日,日本针对韩国氟聚酰亚胺、光刻胶等三种原材料实施管制,重点针对韩国的半导体、面板等电子产业。这对韩国半导体产业产生了巨大影响,目前已缩减NAND Flash投片,减产幅度逾二成。

内存业者分析,三星全球NAND市占逾三成,此次缩减逾二成产出,等于全球将减少逾6%至8%供应量,加上东芝NAND工厂上月受强震影响产能估达3%,合计本月起,全球NAND产出将减少近一成,且美光也宣布本季减产五成NAND芯片,预料在库存快速消化及未来供给大幅缩减下,NAND芯片恐出现缺货,价格也将结束长达二年多的跌势。

内存业者透露,三星先前在东芝工厂因强震停工后,已调涨NAND售价约一成,此次三星大幅减产,将造成强大的NAND抢货潮,带动价格进一步强弹。若日韩贸易谈判再僵持,下季DRAM合约价也将止跌反弹,出现NAND与DRAM两大内存“双涨”效应。

内存通路商透露,三星内部的因应计划是将既有的光阻剂和氟化氢等耗材库存,优先支应还有不错获利的DRAM产品,并缩减接近成本边缘的NAND芯片生产,减产幅度达二到三成,顺势消化NAND库存并使报价提升。


本文由LinkNemo爬虫[Echo]采集自[https://www.ithome.com/0/433/368.htm]

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