小细节IT之家 3 月 30 日消息，日前，realme 推出了“潮玩旗舰”真我 GT Neo 3，支持 150W 光速秒充，5 分钟充电 50%。
据南芯消息，真我 GT Neo 3 搭载了南芯半导体 SC8571 超高压电荷泵快充芯片。
官方称，南芯 SC8571 可实现业界同类产品的最大功率，单芯片可支持最高 120W 充电规格。通常情况下，为保证手机的散热性能和用户体验，120W 到 160W 一般会采用 2 颗 SC8571 并联方案；如若采用 3 颗 SC8571 并联，并配合相应快充链路的整体加强设计，则可以实现 200W 的充电功率。
SC8571 实现了业界极高的 98.65% 峰值效率，在单颗输出 8A 的大功率负载条件下依然保持超过 98% 的效率指标。
安全性方面，SC8571 内部集成了 21 重不同保护机制，以确保充电过程安全可靠。其保护机制可以分为以下三类：11 重系统级保护、5 重电荷泵相关保护、5 重系统级报警。其中，系统级保护和电荷泵相关保护触发后，SC8571 会停止充电，同时出 INT 中断。系统级报警触发后，同样会出 INT 中断，但是充电不会停止，以提醒 AP 提早采取应对措施。
IT之家了解到，上海南芯半导体科技股份有限公司，成立于上海浦东张江高科技园区，是一家专注于电源和电池管理的高性能国产半导体设计公司。
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