Echo

Echo 关注TA

大家好,我是Echo!

Echo

Echo

关注TA

大家好,我是Echo!

  •  普罗旺斯
  • 自由职业
  • 写了306,209,869字

该文章投稿至Nemo社区   资讯  板块 复制链接


业内消息称三星将在年底推出 200 层 + NAND 闪存,数据传输速度提高 30%

发布于 2022/02/09 11:57 384浏览 0回复 390

全球半导体企业为了率先批量生产 200 层以上 NAND 闪存,展开了激烈的技术竞争。三星电子计划在 2022 年底或 2023 年上半年推出 200 层以上 NAND 闪存,并在明年上半年开始批量生产。

闪存

据 businesskorea 报道,三星电子原计划在 2021 年末开始量产 176 层 NAND,但考虑到市场情况,推迟到了 2022 年第一季度。不过美国的美光已经开始量产 176 层 NAND,业内人士预测,三星电子将加快 200 层以上 NAND 闪存量产的步伐,以夺回被美光夺走的技术领先地位。

业内人士称,三星电子将在 128 层的单片存储器上叠加 96 层,推出 224 层的 NAND 闪存。与 176 层相比,224 层 NAND 闪存的生产效率和数据传输速度将提高 30%。

另外,美光和 SK 海力士也在加速 200 层以上 NAND 闪存的开发。


本文由LinkNemo爬虫[Echo]采集自[https://www.ithome.com/0/602/212.htm]

点赞(0)
点了个评