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iFixit 拆解联想 ThinkPad P1 Gen 7，可拆卸式 LPCAMM2 内存意义重大
IT之家5月8日消息，联想在美国推出的 ThinkPadP1Gen7移动工作站全球首发 LPCAMM2内存模组，与传统的LPDDR5X内存相比最大的优点在于可更换升级。iFixit已经拿到了这款机型，并对其进行了拆解测试，其中最大的看点就是这款 LPCAMM2内存。相比于SO-DIMM内存，这款LPCAMM2内存功耗降低了58%，同时还节约了64%空间，这与目前大多数
阅读更多Echo 2024.05.08 08:06 39浏览 0回复
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美光宣布为联想 ThinkPad P1 Gen 7 笔记本供应 LPCAMM2 内存模组：64GB 售价 329.99 美元
IT之家5月7日消息，美光今日宣布推出Crucial英睿达LPCAMM2内存模组，搭载LPDDR5X内存，与传统DDR5SO-DIMM相比功耗降低58%、空间节约 64%，首发于联想ThinkPadP1Gen7移动工作站。LPCAMM2使用LPDDR5X内存，可实现高达7500MT/s的速度，比DDR5SO-DIMM快1.3倍、待机功耗降低80%。与焊接式内存不同，LPCAMM2是可升级
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美光印度封测工厂将于 2025 上半年开始出货，产品主要面向国际市场
IT之家5月6日消息，据《印度时报》报道，美光印度总经理阿南德・拉马莫西（AnandRamamoorthy）近日透露，该企业位于印度古吉拉特邦的封装与测试工厂将于2025上半年开始出货。这些产品将成为数十年来首批“印度制造”（仅限于后端部分）的芯片。美光在印度的封测工厂聚焦晶圆分割、封装、测试和模组生产，主要产品形式为面向数据中心、智能手机、笔记本电脑和物联网设备的BGA芯片、内存模组和固态硬盘。
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最高 8000 MT/s，美光成首家为 AI 数据中心提供高端 DDR5 RDIMM 内存的制造商
IT之家5月4日消息，美光近日发布新闻稿，宣布成为首家为AI数据中心提供高端DDR5RDIMM内存的制造商，运行速度高达8000MT/s。美光在新闻稿中表示该公司于2017年验证并交付了高容量单片32GbDRAM芯片128GBDDR5RDIMM内存，速度达到 5600MT/s，处于行业领先地位。IT之家注：128GBDDR5RDIMM内存采用美光业界领先的1β(1-beta)技术，相比较
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美光获得美国至多 61.4 亿美元直接补贴和 75 亿美元贷款
感谢IT之家网友华南吴彦祖、咩咩洋、Diixx的线索投递！IT之家4月25日消息，美国政府近日宣布，根据双方签订的不具约束力的初步备忘录，美国政府将根据《芯片与科学法案》向美光提供至多61.4亿美元（IT之家备注：当前约445.76亿元人民币）直接补贴。这笔补贴将支持美光到2030年在美国投资500亿美元（当前约3630亿元人民币），在纽约州克莱建设两座先进DRAM内存“超级晶圆厂”；并在总部所在
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美光 LPCAMM2 内存模组实拍：16GB LPDDR5X-7500 规格、用户可更换
IT之家4月24日消息，机械革命产品经理 @来听听阿璞怎么说今日展示了美光LPCAMM2内存模组样品的实拍图，并与常规的DDR5SO-DIMM内存模组作出对比。标签信息显示这是一块来自美光的16GB1Rx16LPDDR5X-7500内存。IT之家此前报道，美光英睿达LPCAMM2内存将于今年上半年推出，笔记本电脑用户可自行升级，容量从16GB到64GB不等。▲ 联想
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美光有望获美国 61 亿美元芯片补贴，预计下周揭晓
IT之家4月18日消息，据美联社报道，美国参议院多数党领袖查克・舒默（ChuckSchumer）表示，美国政府将根据《芯片法案》向美光提供61亿美元（IT之家备注：当前约441.64亿元人民币）的补贴。消息人士向彭博社透露，美国总统计划于下周前往纽约州锡拉丘兹地区，正式宣布向美光的补贴计划。除直接资金支持外，美光有望同英特尔和台积电一样，根据法案获得一笔贷款。美光在2022年宣布，拟于未来20年投
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美光宣布业界率先推出 232 层 QLC 闪存，同步发布 2500 固态硬盘
感谢IT之家网友华南吴彦祖的线索投递！IT之家4月17日消息，美光宣布其在业界率先推出232层QLCNAND闪存。该闪存在消费级零售端已用于特定英睿达固态产品中，在消费级OEM端已随2500固态硬盘向客户出样，在企业端已开始为存储企业进行批量生产。美光表示其232层QLC拥有2400MT/s的闪存I/O速率，相较自家上代176层QLC闪存提升50%，同时读取性能和编程性能也分别提升了24%和31%
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美光：预计台湾地区地震对本季度 DRAM 内存供应造成中等个位数百分比影响
感谢IT之家网友华南吴彦祖的线索投递！IT之家4月12日消息，美光于10日向美国证券交易委员会SEC递交8-K重大事项公告，预计本月初的台湾地区地震对其二季度DRAM内存供应造成“中等个位数百分比”的影响。美光在台湾地区设有桃园和台中两座生产据点。根据TrendForce集邦咨询此前报告，地震导致当时桃园产线上超六成的晶圆报废。美光在公告中表示美光全体员工安然无恙，设施、基建和生产工具未遭受永久性
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TrendForce：台湾地区地震对二季度 DRAM 内存出货量影响不足 1%
IT之家4月11日消息，据TrendForce集邦咨询昨日研报，近日的台湾地区地震对第二季度总DRAM位元产出影响不足1%。目前主要有四家内存厂商在台湾地区设有生产据点，即美光、南亚科技、力积电、华邦电子。研报表示这四家企业在震后均出现了一定数量需要检查或报废的晶圆。▲ 图源TrendForce集邦咨询不过这些厂区本身设备均有一定的抗震能力，对震后产能影响较小，均已大致恢复100%的产线
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美光推出 4150AT 车规级固态硬盘，全球率先支持同时直连四颗车上 SoC
IT之家4月10日消息，美光宣布4150AT车规级固态硬盘现已向汽车厂商出样，该产品在全球率先实现四端口连接。美光方面表示，4150AT引入了企业级固态硬盘领域的多端口技术，可同时直接连接四个车上SoC。相较于目前的单端口车用产品，4150AT可在多系统间共享单实体硬盘的容量，同时无需昂贵的车规级PCIe交换芯片。同时4150AT固态硬盘针对车用多虚拟机环境进行了优化，支持运行多达64个虚拟机，并
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消息称美光计划二季度针对 DRAM 内存和固态硬盘产品调涨 25%
感谢IT之家网友Diixx、航空先生的线索投递！IT之家4月9日消息，据台媒DIGITIMES报道，美光计划二季度针对DRAM内存和固态硬盘产品调涨25%。多家存储模组厂已获悉美光方面的调价意向，价格谈判仍在进行中。美光此次调价的背景，一方面是云服务业者和企业级存储需求的强劲回升，另一方面则是近期台湾地区地震对产能造成影响。美光在台湾地区的新北林口和台中均设有内存厂区，可生产其最先进的1-beta
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TrendForce：美光 DRAM 产能受台湾地区花莲地震影响，内存厂商纷纷停止报价
IT之家4月7日消息，据TrendForce集邦咨询研报，美光在台DRAM内存产能遭受4月3日台湾地区花莲县海域里氏7.3级地震影响，致多家上游内存原厂和下游模组厂停止报价。研报表示，美光在台湾地区部署了大量产能，于新北林口和台中均设有厂区，可生产最先进的1-beta内存。根据IT之家以往报道，美光未来的1-gamma制程内存也将首先在台量产。▲美光台中工厂美光官方于4日发布公告，表示所有在台员工
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商务部部长王文涛会见高通 CEO 安蒙、美光 CEO 桑杰・梅赫罗特拉
感谢IT之家网友lemon_meta、航空先生的线索投递！IT之家3月24日消息，据商务部官方消息，3月23日，商务部部长王文涛会见美国高通公司总裁兼首席执行官安蒙。双方就中美经贸关系、高通公司在华发展等议题进行了交流。王文涛强调，开放是当代中国的鲜明标识。中国政府致力于优化营商环境，为外资企业投资经营提供服务保障。中国正加快发展新质生产力，人工智能、云计算、消费电子等行业充满商机与活力，欢迎包括
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美光展示 MCRDIMM 内存模块：DDR5-8800 规格、单条 256GB
IT之家3月23日消息，美光（Micron）近日出席英伟达GTC2024大会，展示了256GB单条MCRDIMMDDR5-8800内存模块。美光表示该内存模块主要为英特尔XeonScalableGraniteRapids等未来服务器系统设计，并已经开始向感兴趣的买家发送样品。这款256GB单条MCRDIMMDDR5内存的运行速度为8800MHz，专为1U服务器系统设计，基于32-gigabitDD
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美光宣布 1-gamma EUV 内存已试生产，下一代闪存目标 2025 年量产
IT之家3月22日消息，美光于近日发布了截至2月29日的2024财年第二财季财报，配套的演示文稿中对其DRAM内存和NAND闪存的未来与现状进行了介绍。美光称其引入EUV光刻的下一代1-gamma内存已进行了试生产，同时下一代NAND节点的开发也在按计划进行，目标2025日历年实现量产。回到目前，美光称其3/4的DRAM内存颗粒位于1-alpha/beta先进节点上，而在NAND闪存方面更是有90
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美光预估 AI 时代旗舰手机 DRAM 内存用量将提升 50%~100%
IT之家3月21日消息，在美光近日举行的季度财报电话会议上，美光CEO桑杰・梅赫罗特拉（SanjayMehrotra）表示AI时代旗舰手机的DRAM内存用量将大幅提升。他表示：“我们预计AI手机的DRAM含量将比当今的非AI旗舰手机高出50%到100%”目前，大部分安卓旗舰手机均可选12或16GB的内存，同时24GB内存配置也不在少数；苹果阵营和少部分安卓旗舰款式则维持了8GB的最大内存容量。相较
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美光：HBM 内存消耗 3 倍晶圆量，明年产能基本预定完毕
IT之家3月21日消息，美光在发布季度财报后举行了电话会议。在该会议上美光CEO桑杰・梅赫罗特拉（SanjayMehrotra）表示，相对于传统内存，HBM对晶圆量的消耗明显更高。美光表示，在同一节点生产同等容量的情况下，目前最先进的HBM3E内存对晶圆量的消耗是标准DDR5的三倍，并且预计随着性能的提升和封装复杂度的加剧，在未来的HBM4上这一比值将进一步提升。参考IT之家以往报道，这一高比值有
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美光发布截至 2 月底季度财报，提前恢复盈利
IT之家3月21日消息，美光昨日发布了截至2月29的2024财年第二财季财务报告。报告显示美光提前于业界预期恢复了盈利。具体而言，美光在这一财季中实现了58.2亿美元（IT之家备注：当前约419.62亿元人民币）的营收，环比上升23%，同比大增58%；毛利率达20%；按美国通用会计准则（GAAP）计算，实现7.93亿美元盈利，每股收益0.71美元；美光此季度经营现金流为12.2亿美元。美光科技总裁
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英睿达推出 12GB DDR5 5600 笔记本电脑内存，3 月 31 日发售
感谢IT之家网友华南吴彦祖的线索投递！IT之家3月13日消息，大家常见的DDR5内存一般是8GB、16GB、32GB以及24GB和48GB这种非二进制型号，而现在英睿达在英国亚马逊上架了首款12GB的DDR5内存。这款内存条拥有5600MT/s速度，当然也可以运行在5200和4800MT/s模式下。产品页面显示，这款内存电压仅为1.1V，比DDR4 3200内存快1.5倍，将于3月31日
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