标签文章：#晶体管#
-
中科院在 OLET 核心高迁移率发光有机半导体材料制备方面取得进展
中国科学院化学研究所有机固体实验室董焕丽课题组在OLET（有机发光场效应晶体管）核心高迁移率发光有机半导体材料的制备方面取得了进展。中国科学院消息显示，科研人员针对传统垂直OLET器件工艺复杂、且稳定性差和平面OLET器件线状发光形态导致的开口率低等问题，提出了新型平面型面光源出射OLET器件结构。据介绍，在该器件结构中，在发光单元和传输层之间引入一层电荷调控缓冲层（chargetransport
阅读更多Echo 2022.02.15 17:55 402浏览 0回复
-
自制简易版光刻机！22 岁小伙在车库里造出芯片
距离贝尔实验室大约30英里的一间车库里，有一个22岁的小伙正在追赶芯片制造巨头。上世纪70年代，芯片制造巨头英特尔研发了世界上第一款商用计算机微处理器4004。2021年8月，山姆・泽洛夫（SamZeloof）宣布了自己的半导体里程碑——在车库里打造的Z2芯片，这块芯片与微处理器4004采用了相同技术。▲泽洛夫的Z1和Z2芯片受著名黑客、硬件设计师杰里・埃尔斯沃思（JeriEllsworth）成功
阅读更多 -
后纳米级晶体管时代来临？一场“用尽元素周期表”的战争
芯东西12月24日报道，随着芯片制程演进愈加艰难，晶体管微缩正面临物理极限的天花板。但英特尔、东京电子等芯片供应链巨头已将制程路线图推进到埃米一级（1Å=0.1nm=10^-10m），甚至计划在原子级别上构建新的晶体管。今年以来，台积电、英特尔、三星等半导体巨头都在晶体管结构和二维半导体材料领域发布了重量级的研究成果，谁也不肯落后对手一步。台积电在5月份刚刚发布用半金属铋解决二维半导体材料高电阻问
阅读更多 -
能打造新型 CPU 的有机分子元件登 Nature，一个顶数千晶体管
用电压控制有机分子材料，实现决策树算法，相当于实现了if-then-else语句的功能。不仅如此，研究人员还用多个元件攒出一棵有71个节点的复杂决策树。这篇论文发表在最新一期Nature上。更厉害的是，不像传统固定写死的电路，这种元件还具有可动态重编程的特性。重编程的方式也很简单，只需要改变电压就能做到。在一个时间步内完成复杂计算后，施加不同的电压脉冲，下一个瞬间能完成另一项计算任务。就像人类大脑
阅读更多 -
超越 3nm，三大晶体管结构方案解读
8月13日消息，随着三星、英特尔、台积电、IBM等半导体厂商相继发布新晶体管结构的进展，半导体行业正处于晶体管结构转变的前夜。虽然芯片行业从不急于采用新的晶体管结构进行量产，但如果想要生产3nm或2nm制程的逻辑芯片，英特尔、三星、台积电等厂商必须从当前的鳍式场效应晶体管结构（FinFET）逐渐过渡到纳米片结构（Nanosheets）。堀口直人是IMEC（比利时微电子研究中心）逻辑CMOS微缩项目
阅读更多 -
IBM 2nm 芯片弯道超车了吗：不，他连车都没有
2021年5月11日，5月6日晚间IBM首发了2nm工艺芯片，与当前主流的7nm芯片相比，IBM2nm芯片的性能预计提升45%，能耗降低75%。那么IBM首发2nm是否意味着IBM这个蓝色巨人在芯片制造行业站起来了呢？从最近的消息和行业历史上来看明显不是。没有车何谈弯道超车？一般来说，像发布几纳米制造工艺这个事，属于芯片代工行业（或者芯片制造行业）的问题，典型企业比如像英特尔、台积电、三星。IBM
阅读更多 -
纳米尺寸的晶体管来了：湖南大学团队成功展示小于 1 纳米的晶体管原型
IT之家5月11日消息 据参考消息，湖南大学物理与微电子科学学院刘渊教授团队使用范德华金属集成法，成功展示了超短沟道垂直场效应晶体管原型器件，其有效沟道长度最短可小于1纳米。据报道，该研究成果为“后摩尔时代”半导体器件性能提升增添了希望。IT之家了解到，日前，这一研究成果已发表在《自然・电子学》（NatureElectronics）杂志上。论文的第一作者为湖南大学物理与微电子科学学院博士
阅读更多 -
IBM 研制出全球首款 2nm 芯片：指甲大小容纳 500 亿个晶体管，智能手机电池可四天一充
IT之家5月7日消息 IBM宣布已成功研制出全球首款采用2纳米(nm)规格纳米片技术的芯片，这标志着IBM在半导体设计和工艺方面实现了重大突破。一直以来，半导体在众多领域内都扮演着至关重要的角色，例如：计算机、家用电器、通信设备、运输系统、关键基础设施等等。IBM研发的新型2纳米芯片技术可推动半导体行业的发展，满足不断增长的需求。与目前先进的7纳米节点芯片相比，这项技术预计可使芯片的性能
阅读更多 -
IBM 发布全球首个 2nm 芯片制造技术，较 7nm 速度快 45%，能效高 75%
北京时间5月6日晚间消息，据报道，IBM今日发布了全球首个2纳米芯片制造技术。与当前许多笔记本电脑和手机中使用的主流7纳米芯片相比，2纳米芯片计算速度要快45%，能效高75%。IBM曾是一家主要的芯片制造商，现已将其大量芯片生产外包给三星电子。但在纽约州奥尔巴尼（Albany）仍保留着一个芯片制造研究中心。该中心负责对芯片进行试运行，并与三星和英特尔签署了联合技术开发协议，以使用IBM的芯片制造技
阅读更多 -
新型类脑计算设备可模拟人类联想学习：使用突触晶体管，容错率高
5月1日消息 研究人员已经开发出了一种类似于大脑的新型计算设备，能够通过联想学习。类似于著名的生理学家伊万・巴甫洛夫（IvanPavlov）将使狗与食物关联起来，美国西北大学（NorthwesternUniversity）和香港大学的研究人员成功地使光线和压力的反应形成关联。这项研究在4月30日发表在《自然通讯》（NatureCommunications）杂志。该设备的秘密在于其新颖的有
阅读更多 -
首个完全可回收印刷电子产品诞生，帮助解决电子垃圾泛滥问题
IT之家4月27日消息我们知道，制作晶体管和集成电路的原料一般是硅片，很难回收利用。不过，近日美国杜克大学工程师开发了世界上第一个完全可回收的印刷电子产品：由3种碳基墨水制成的晶体管。有望解决日益增长的全球电子垃圾问题。杜克大学电子和计算机工程系阿迪教授亚伦-富兰克林说：“基于硅的计算机组件可能永远不会消失，我们不指望像我们这样容易回收的电子产品能够取代已经被广泛使用的技术和设备。但是我们希望，通
阅读更多 -
3nm 工艺稳了：揭秘新一代晶体管结构
一些晶圆代工厂仍在基于下一代全能栅极晶体管开发新工艺，包括更先进的高迁移率版本，但是将这些技术投入生产将是困难且昂贵的。英特尔、三星、台积电和其他公司正在为从今天的FinFET晶体管向3nm和2nm节点的新型全栅场效应晶体管（GAAFET）过渡奠定基础，这种过渡将从明年或2023年开始。GAAFET将被用于3nm以下，拥有更好的性能，更低的功耗和更低的漏电压。虽然GAAFET晶体管被认为是FinF
阅读更多 -
台积电：摩尔定律依然有效，晶体管将能做到0.1纳米
据台湾地区《经济日报》报道，台积电研发负责人、技术研究副总经理黄汉森表示，毋庸置疑的，摩尔定律依然有效且状况良好，它没有死掉、没有减缓、也没有带病，并透露晶体管将能做到0.1纳米。1965年提出的摩尔定律（MooresLaw）引领半导体发展超过半世纪，这个定律主要是指芯片上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。但摩尔定律有没有走到极限？走到极限未来会是什么样的发展？这是......
阅读更多