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SK 海力士宣布业界率先完成氖气回收技术开发，每年可节省 400 亿韩元
IT之家4月2日消息，SK海力士于昨日宣布，已与韩半导体行业特种气体制造商TEMC成功合作开发了业界首个氖气回收技术，每年可节省400亿韩元（IT之家备注：当前约2.14亿元人民币）。由于地缘政治环境变化，氖气等稀有气体供应紧张，价格飙升。韩国另一家半导体企业三星电子也计划在芯片生产中对氖气进行回收利用。氖气是准分子激光气体的关键成分，对于半导体光刻工艺必不可少。而作为一种稀有气体，氖气化学性质稳
阅读更多Echo 2024.04.02 13:57 50浏览 0回复
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三星研究员悲观看待 EUV 光刻技术寿命，认为 High-NA 方案面临成本问题
IT之家3月8日消息，三星研究员YoungSeogKang在近日举行的SPIE先进光刻+图案化会议的小组讨论中对EUV技术的寿命持有悲观看法，认为High-NA（高数值孔径）路线存在成本问题。Kang表示，作为光刻技术的用户方，其总是最关心整体成本。这位研究员指出，芯片制造商可使用目前运行的0.33NAEUV光刻机搭配多重图案化实现精度的进一步提升，而无需更昂贵的替代方案（IT之家注：即High-
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三星与应用材料合作，减少 4nm 工艺中 EUV 光刻使用
IT之家3月8日消息，据韩媒etnews近日报道，三星电子正与应用材料合作，以降低其4nm工艺中EUV光刻的用量。相比传统DUV技术，EUV光刻可实现更高的图案化精度，但相对应的，也更昂贵。而对于尖端半导体，晶圆厂越来越多地使用EUV双重图案化来实现小于单次EUV光刻分辨率限制的芯片特征，以优化芯片面积，而这意味着整体成本的成倍增加。据报道，三星正在4nm制程上评估应用材料的CenturaScul
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氖气价格“过山车”式飙升，三星吃不消考虑用回收氖气：明年满足 75% 光刻需求
IT之家3月8日消息，由于俄乌冲突，氖气价格自2022年以来一路飙升，2021年韩国进口价格为58美元/升，而2022年飙升至1612美元/升。最新消息称三星现在计划在芯片生产中使用回收的氖气。根据TheKoreaEconomicDaily报道，三星正考虑从明年开始，在芯片生产中使用回收的氖气，这也让其成为业内首家在光刻工艺中使用回收氖气的公司。报道进一步指出，三星电子已与当地一家材料公司联手开发
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可减少昂贵 EUV 光刻使用，德国默克称 DSA 自组装技术十年内商用
IT之家2月5日消息，德国默克公司高级副总裁AnandNambier近日在新闻发布会上称，未来十年DSA自组装技术将实现商用化，可减少昂贵的EUV图案化次数，成为现有光刻技术的重要补充。IT之家注：DSA全称为Directedself-assembly，其利用嵌段共聚物的表面特征实现周期性图案的自动构造，在此基础上加以诱导，最终形成方向可控的所需图案。一般认为，DSA不适合作为一项独立的图案化技术
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英特尔 CEO 基辛格：不会放弃使用外部代工，High-NA EUV 将于下一个“Major”节点导入
IT之家1月30日消息，近日英特尔CEO帕特・基辛格（PatGelsinger）在季度电话财报会议上回应了分析师有关外部代工与High-NAEUV应用的提问。他表示虽然未来外部代工量会减少，但其仍是英特尔路线图中不可或缺的一部分；同时基辛格再次确认不会在Intel18A节点使用High-NA（IT之家注：高数值孔径）EUV光刻，而是留到下一个“Major”节点。基辛格认为随着内部晶圆厂“4年5节点
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ASML 和 IMEC 宣布共同开发 high-NA EUV 光刻试验线
IT之家6月29日消息，比利时微电子研究中心(IMEC)以及ASML今日宣布，双方将在开发最先进高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻试验线的下一阶段加强合作，为使用半导体技术的行业提供原型设计平台和未开发的未来机遇。今天签署的谅解备忘录旨在帮助使用半导体技术的产业了解先进半导体技术带来的机遇，并获得一个支持其创新的原型平台。imec、ASML和其他合作伙伴之间的合作将使探索新型半导体应
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计算光刻速度提高 40 倍，台积电预计 6 月将英伟达 AI 加速技术 cuLitho 导入 2nm 试产
IT之家3月22日消息，英伟达与台积电、ASML和新思科技（Synopsys）携手合作，经历四年开发，英伟达终于完成全新的AI加速技术cuLitho。据介绍，CuLitho可以将下一代芯片计算光刻度提高40倍以上，使得2nm及更先进芯片的制造成为可能。cuLitho是一个用于运算式微影函数库，将可缩短先进制程芯片的光罩时程、拉升良率并大幅减低晶圆制造所需的能耗。据台湾联合报，台积电将在今年6月对c
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纳米压印光刻，能让国产绕过 ASML 吗
自从国产替代概念兴起，很少关注半导体行业的人都对光刻机有所耳闻。目前，全世界最先进的芯片，几乎都绕不开ASML（阿斯麦）的DUV（深紫外）和EUV（极紫外）光刻机，但它又贵又难造，除了全力研发光刻机，国产有没有其它的路可以走？事实上，光刻技术本身存在多种路线，离产业最近的，当属纳米压印光刻（Nano-ImprintLithography，简称NIL）。日本最寄望于纳米压印光刻技术，并试图靠它再次逆
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佳能推出晶圆测量机新品 MS-001：比光刻机精度更高，可提高生产效率
感谢IT之家网友肖战割割的线索投递！IT之家2月21日消息，在逻辑、存储器、CMOS传感器等尖端半导体领域，制造工艺日趋复杂，半导体元器件制造厂商为了制造出高精度的半导体元器件，需要提高套刻的精度，因而曝光前要测量的对准测量点也越来越多。如果在半导体光刻机中对数量众多的测量点进行对准测量的话，测量本身会非常耗时，进而就会降低半导体光刻机的生产效率。为此，半导体制造领域引进了晶圆测量机，将半导体光刻
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华中科技大学团队成功研发国内首款全自主计算光刻 EDA 之 OPC 软件
感谢IT之家网友kinja的线索投递！IT之家11月26日消息，据中国光谷、湖北卫视等报道，华中科技大学教授刘世元创立的宇微光学软件有限公司（简称“宇微光学”），已成功研发全国产、自主可控的计算光刻OPC软件，填补国内空白。目前正在做集成与测试，并到芯片生产厂商做验证，孵化企业的武汉光电工研院也将提供技术转化服务。OPC软件，即“光学邻近校正软件”，是芯片设计工具EDA的一种，没有它，即使用了光刻
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华为 EUV 光刻新专利公开，解决相干光无法匀光问题
感谢IT之家网友石原里美幸福、kinja的线索投递！IT之家11月19日消息，在半导体行业，极紫外光刻技术(ExtremeUltraviolet，EUV)对于未来光刻技术乃至于先进制程有着重要意义。为了追求更先进的芯片和更优的能效，我们一直走在制程微缩的道路上，但光刻设备的分辨率决定了IC的最小线宽，越发精细的芯片就越需要缩短晶体管内部导电沟道的长度。因此，光刻机的升级就势必与分辨率水平相关联。光
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上海集成电路材料研究院采用创新范式提高光刻材料研发效率
集微网消息，上海集成电路材料研究院官网日前刊文，回顾了该院建院两年来取得的科研与产业化成果。这家由中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海硅产业集团股份有限公司共同发起成立的研究机构致力于衬底材料、工艺材料的研发与产业化，面向企业需求和产业化落地，积极开展技术攻关。如该院针对抛光垫、抛光液材料性能以及抛光压力、抛光温度、抛光液流速等抛光工艺对大硅片平整度的影响，开发了全套大硅片抛光解决方案。依托
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国产 EDA 新突破，东方晶源推出计算光刻云方案
IT之家7月16日消息，据东方晶源发布，近日，东方晶源微电子科技（北京）有限公司（以下简称“东方晶源”）发布首款基于云端的EDA计算光刻平台——AeroHPO全流程协同优化系统，成为国产EDA和一体化良率解决方案“云”部署商。该系统沿用东方晶源自主研发、全球率先工程应用的“全芯片反向光刻掩模优化（ILT）”技术，同时依托于公有云平台，可为客户提供28nm及以下技术节点的制程建模、基于ILT的掩模优
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长鑫存储公开“半导体光刻补偿方法”专利
IT之家7月2日消息，近日长鑫存储技术有限公司公开多项专利，其中一条名称为“半导体光刻补偿方法”，公开号为CN114675505A。专利摘要显示，本申请实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体光刻补偿方法，包括：通过机台组合对晶圆进行光刻，机台组合至少包括第一机台和第二机台；通过第一机台进行光刻得到第一曝光结构；获取第一曝光结构的套刻误差的第一测量值；根据第一测量值对第二机台的初始下货值进
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消息称光刻机巨头 ASML 正寻找氖气替代来源，以防俄乌冲突导致供应中断
据路透社报道，ASML正在寻找其他氖气供应来源，以防俄罗斯和乌克兰冲突导致供应中断。ASML一位发言人于当地时间周三表示，尽管乌克兰是全球最大的氖气生产国，但ASML使用的氖气中只有不到20%来自该国。日前调研机构Omdia在《俄乌冲突可能会对云计算与数据中心行业产生什么影响？》报告中指出，乌克兰拥有Iceblick、Ingas和Cryoin等企业占全球氖气供应量的70%以上。氖是一种用于半导体光
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EUV 光刻的“致命弱点”
几家供应商正在推出下一代检测系统和软件，以定位极紫外（EUV）光刻机工艺引起的芯片缺陷问题。每种缺陷检测技术都涉及到各种权衡，但由于EUV引起的随机缺陷最终会影响芯片的性能，在晶圆厂里使用一项或多项检测技术是非常必要的。EUV光刻用于晶圆厂的芯片生产，它使用一个巨大的扫描仪在高级节点上对芯片的微小特征进行图案化，在操作中，EUV的扫描仪产生光子，最终与晶圆上的光敏材料光刻胶相互作用，以形成精确的特
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中科院上海光机所计算光刻技术研究取得进展
IT之家6月10日消息据中国科学院网站，近日，中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室提出一种基于虚拟边（VirtualEdge）与双采样率像素化掩模图形（Maskpixelationwithtwo-phasesampling）的快速光学邻近效应修正技术（Opticalproximitycorrection,OPC），仿真结果表明该技术具有较高的修正效率。据介绍，OPC技术通过调整
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科创板直写光刻第一股芯碁微装背后：五大客户逐年变动，曾陷专利官司
科创板“国产直写光刻设备第一股”正式登陆A股市场！在经过约10个月的审查后，国产半导体设备供应商合肥芯碁微装终于在昨日正式敲钟，首次公开发行A股约3220万股，发行价每股15.23元，开盘涨192.19%。截至芯东西发稿时间，每股报价60.35元，总市值72.90亿人民币，滚动市盈率77.18。这家成立于2015年6月的企业，致力于“成为国产光刻机世界品牌”，成立第四年全年净利润转正，2020年上
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国内苏大维格公布最新 3D 直写光刻技术：实现光刻胶 3D 形貌可控制备
IT之家10月12日消息近期，国内苏大维格厂商公布了3D直写光刻技术进展，在半导体、光电子、新材料创新方面更进一步。光刻是当前半导体、平板显示、MEMS、光电子等行业的关键工艺环节。光刻技术是指在短波长光照作用下，以光刻胶（光致抗蚀剂、photoresist）为介质，将微纳图形制备到基片上的技术。以半导体工艺为例，半导体器件由多种专用材料经过光刻、离子刻蚀、抛光等复杂微纳加工流程而完成。光刻设备是
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