标签文章：#dram#
-
SK 海力士宣布将清州 M15X 定为 DRAM 生产基地，向厂房投资约 5.3 万亿韩元
IT之家4月24日消息，SK海力士宣布，为应对用于AI的半导体需求剧增，决定扩充AI基础设施（Infra）的核心产品即HBM等新一代DRAM的生产能力（Capacity）。当天，公司通过董事会决议，将建设在韩国忠清北道清州市的M15X定为新的DRAM生产基地，并决定向厂房（Fab）建设投资约5.3万亿韩元（IT之家备注：当前约279.31亿元人民币）。SK海力士将于本月末开始进行建设工程，计划在2
阅读更多Echo 2024.04.24 16:47 20浏览 0回复
-
消息称三星电子曾考虑在美国建设先进 DRAM 内存晶圆厂，最终放弃
IT之家4月17日消息，据韩媒Alphabiz报道，三星电子方面曾考虑在美国建设先进DRAM内存晶圆厂，但最终因为一系列原因转而选择建设先进封装设施。根据本周初达成的初步协议，三星电子将获得美国至多64亿美元（IT之家备注：当前约464亿元人民币）补贴，在得克萨斯州泰勒市建设两座先进逻辑代工厂、一座先进封装工厂和一座先进制程研发设施。报道称，三星电子本考虑在泰勒市建设一座10nm级先进制程的DRA
阅读更多 -
三星推出业界最快 10.7Gbps LPDDR5X 内存，实现 32GB 单封装容量
IT之家4月17日消息，三星近日宣布已开发出其首款支持高达10.7Gbps速率的LPDDR5XDRAM内存。参考IT之家以往报道，目前其他厂商的LPDDR5XDRAM内存最高速率为9.6Gbps。三星表示，这款10.7GbpsLPDDR5X内存基于12nm级工艺技术，相较上代产品性能提高25%以上，容量提高30%以上。同时该内存将移动DRAM的单封装容量扩充至32GB，满足端侧AI应用对高性能大容
阅读更多 -
美光：预计台湾地区地震对本季度 DRAM 内存供应造成中等个位数百分比影响
感谢IT之家网友华南吴彦祖的线索投递！IT之家4月12日消息，美光于10日向美国证券交易委员会SEC递交8-K重大事项公告，预计本月初的台湾地区地震对其二季度DRAM内存供应造成“中等个位数百分比”的影响。美光在台湾地区设有桃园和台中两座生产据点。根据TrendForce集邦咨询此前报告，地震导致当时桃园产线上超六成的晶圆报废。美光在公告中表示美光全体员工安然无恙，设施、基建和生产工具未遭受永久性
阅读更多 -
TrendForce：台湾地区地震对二季度 DRAM 内存出货量影响不足 1%
IT之家4月11日消息，据TrendForce集邦咨询昨日研报，近日的台湾地区地震对第二季度总DRAM位元产出影响不足1%。目前主要有四家内存厂商在台湾地区设有生产据点，即美光、南亚科技、力积电、华邦电子。研报表示这四家企业在震后均出现了一定数量需要检查或报废的晶圆。▲ 图源TrendForce集邦咨询不过这些厂区本身设备均有一定的抗震能力，对震后产能影响较小，均已大致恢复100%的产线
阅读更多 -
消息称美光计划二季度针对 DRAM 内存和固态硬盘产品调涨 25%
感谢IT之家网友Diixx、航空先生的线索投递！IT之家4月9日消息，据台媒DIGITIMES报道，美光计划二季度针对DRAM内存和固态硬盘产品调涨25%。多家存储模组厂已获悉美光方面的调价意向，价格谈判仍在进行中。美光此次调价的背景，一方面是云服务业者和企业级存储需求的强劲回升，另一方面则是近期台湾地区地震对产能造成影响。美光在台湾地区的新北林口和台中均设有内存厂区，可生产其最先进的1-beta
阅读更多 -
SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存量产
IT之家4月9日消息，据韩媒Businesskorea报道，SK海力士、三星电子有望于年内先后启动1c纳米DRAM内存的量产。进入20~10nm制程后，一般以1+字母的形式称呼内存世代，1cnm即对应美光的1-gammanm表述，为第六个10+nm制程世代。三星方面称呼上一世代1bnm为“12nm级”。三星近期在行业会议Memcon2024上表示，其计划在今年年底前实现1cnm制程的量产；而近日据
阅读更多 -
TrendForce：美光 DRAM 产能受台湾地区花莲地震影响，内存厂商纷纷停止报价
IT之家4月7日消息，据TrendForce集邦咨询研报，美光在台DRAM内存产能遭受4月3日台湾地区花莲县海域里氏7.3级地震影响，致多家上游内存原厂和下游模组厂停止报价。研报表示，美光在台湾地区部署了大量产能，于新北林口和台中均设有厂区，可生产最先进的1-beta内存。根据IT之家以往报道，美光未来的1-gamma制程内存也将首先在台量产。▲美光台中工厂美光官方于4日发布公告，表示所有在台员工
阅读更多 -
Omdia：三星、SK 海力士下半年 DRAM 内存晶圆投片量有望回归减产前水平
IT之家4月3日消息，据《朝鲜日报》援引Omdia方面报告，三星电子、SK海力士下半年DRAM内存晶圆投片量有望回归减产前水平，结束近一年的减产，实现DRAM领域业务正常化。报告显示，三星电子本季度开始将月度DRAM内存晶圆投片量上调至60万片，相较上季度提升13%；预计三星将于下半年开始进一步上调投片量至每月66万片，持平减产前水平。近期有消息指出，三星电子位于华城和平泽的部分DRAM产线的晶圆
阅读更多 -
三星计划 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代
IT之家4月1日消息，据外媒SemiconductorEngineering报道，三星电子在行业会议Memcon2024上表示计划于2025年后在业界率先进入3DDRAM内存时代。DRAM内存行业将于本十年后期将线宽压缩至10nm以下。而在如此精细的尺度下，现有设计方案难以进一步扩展，业界因此正在探索包括3DDRAM在内的多种创新型内存设计。▲图源 SemiconductorEngine
阅读更多 -
SK 海力士：HBM 今年销售额将占整体内存逾一成，明年供应继续紧张
IT之家3月28日消息，SK海力士CEO郭鲁正在昨日举行的年度股东大会上表示，今年HBM在整体DRAM内存的销售占比将达到两位数，明年供应情况依旧紧张。在回答股东为何SK海力士在AI爆火、HBM热销的去年仍出现9万亿韩元（IT之家备注：当前约482.4亿元人民币）净亏损的提问时，郭鲁正表示这是因为占销售额绝大部分的常规DRAM产品价格下滑，而HBM虽然火爆但去年销售额占比仅有个位数。除了HBM的占
阅读更多 -
三星提振 DRAM 业务，Omdia 预估今年下半年产能恢复到 2023 年前水平
IT之家3月16日消息，市场调查机构Omdia近日发布预估报道，认为三星的DRAM 产能有望在2024年下半年恢复到2023年前的水平。三星DRAM业务在2023年遭遇滑铁卢，前三个季度分别出现了超过4.58万亿、4.36万亿和3万亿韩元的亏损，第4季度亏损进一步收窄，2023年全年利润率下降了95%。Omdia预估2024年上半年，三星的晶圆产量累计约为157.5万片，占去年同期210
阅读更多 -
新一代移动端 DRAM 内存规范 LPDDR6 有望今年 3 季度公布
IT之家3月11日消息，据韩媒etnews报道，新一代移动端DRAM内存规范LPDDR6有望今年3季度公布。业内人士透露，行业标准制定组织JEDEC固态技术协会近日在葡萄牙首都里斯本召开了下一代移动端随机存取处理器标准咨询会。此次会议中，与会各方进行了丰富的讨论，完成了LPDDR6标准的定稿工作，预计将于今年3季度正式发布。目前广泛使用的LPDDR5规范发布于2019年。而升级版LPDDR5X规范
阅读更多 -
消息称 SK 海力士今年将增 8 台 EUV 光刻机，推动 DRAM 内存产品技术演进
感谢IT之家网友西窗旧事的线索投递！IT之家2月27日消息，韩媒etnews近日报道称SK海力士将于今年引入8台EUV光刻机，推动DRAM内存产品的技术演进。SK海力士现有5台光刻机。到今年末，若加上韩媒报道中称的8台，其拥有的EUV光刻机总数将达13台，较年初翻倍有余，大幅提升EUV曝光能力。SK海力士于第四代10纳米级制程——1anm制程中首次引入EUV光刻，当时仅在1个步骤中使用；而来到目前
阅读更多 -
内存变革将至，DRAM 后谁扛大旗？MRAM、FERAM 和 ReRAM 摩拳擦掌
IT之家2月22日消息，存储网络行业协会（SNIA）多位专家近日预估，21世纪20年代末将会掀起持久内存（PMEM）变革浪潮，相信新技术将取代DRAM等成熟的存储技术。IT之家注：持久内存作为一个内存和外存的混合体，其高速持久化的特性在某些磁盘IO作为性能瓶颈的场景下是一个破局的解法。SNIA的ArthurSainio、TomCoughlin和JimHandy专家表示，以SK海力士和美光研制的铪铁
阅读更多 -
1c 纳米世代内存竞争：三星计划增加 EUV 使用，美光将引入钼、钌材料
IT之家2月3日消息，根据韩媒TheElec的报道，DRAM内存巨头三星和美光均将在下一个内存世代，也就是1cnm工艺引入更多新技术。IT之家注：1cnm世代即第六个10+nm世代，美光也称之为1γnm工艺。目前最先进的内存为1bnm世代，三星称其1bnm为12nm级工艺。分析机构TechInsights高级副总裁ChoiJeong-dong在近日的一场研讨会上表示，美光将在1cnm节点率先引入钼
阅读更多 -
三星电子在硅谷设立新实验室，负责下一代 3D DRAM 内存研发
IT之家1月28日消息，三星电子称其已经在美国硅谷开设了一个新的R&D研究实验室，专注于下一代3DDRAM芯片的开发。该实验室位于硅谷DeviceSolutionsAmerica（DSA）运营之下，负责监督三星在美国的半导体生产，并致力于开发新一代的DRAM产品，以帮助三星继续引领全球3DDRAM市场。三星去年9月推出了业界首款且容量最高的32GbDDR5DRAM芯片，采用12nm级工艺打
阅读更多 -
消息称长鑫存储开始量产 18.5 纳米 DRAM，初期月产 10 万片晶圆
IT之家1月26日消息，根据DigiTimes报道，长鑫存储（CXMT）专注于DRAM存储，长江存储（YMTC）专注于NAND闪存，采用不同的战略加快了发展步伐。图源：长鑫存储消息称长鑫存储位于合肥的新工厂已经开始批量生产18.5纳米工艺的DRAM芯片，合肥工厂一期已接近满负荷生产，月产量达到100000片晶圆。即将进行的二期扩建将在2024年底前完成，每月增加40000片晶圆，让长鑫存储的DRA
阅读更多 -
TrendForce 预测 DRAM 与 NAND Flash 今年一季度涨价 18%
IT之家1月21日消息，TrendForce研究显示，今年第一季度已然成为增长季，DRAM合约价季涨幅约13~18%；NANDFlash则是18~23%。分析师指出，虽然目前市场对第二季整体需求看法仍属保守，预计DRAM、NANDFlash第二季合约价季涨幅收敛至3~8%。不过，在面对2024年市场需求展望仍保守的前提下，二者价格走势均取决于供应商产能利用率情况。参考IT之家此前报道，DRAM产品
阅读更多 -
消息称 SK 海力士无锡工厂升级第四代 DRAM，达到 10nm 工艺级别
IT之家1月16日消息，根据韩媒《首尔经济日报》报道，SK海力士计划在2024年之前，完成对无锡C2工厂的改造，转换升级为第四代（1a）D-ram工艺，达到10nm工艺级别。IT之家注：无锡工厂是该公司的核心生产基地，约占SKhynixD-RAM总产量的40%。该厂目前生产10纳米后期级别的第二代（1y）和第三代（1z）D-RAM，属于旧（传统）产品线。消息称SK海力士会在无锡工厂完成第四代D-R
阅读更多