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三星宣布完成5纳米EUV工艺研发
IT之家4月16日消息三星官网发布消息称，三星电子已经成功完成5nmEUV开发，以实现芯片的更大面积扩展和带来超低功耗。三星电子称，其5纳米（nm）FinFET工艺技术的开发已经完成，现在可以为客户提供样品。通过在其基于极紫外（EUV）的工艺产品中添加另一个尖端节点，三星称再次证明了其在先进晶圆代工市场的领导地位。与7nm相比，三星的5nmFinFET工艺技术将逻辑区域效率提高了25%，功耗降低了......
阅读更多Echo 2019.04.16 11:01 511浏览 0回复
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台积电完成5nm基础设施设计：逻辑密度为7nm 1.8倍
IT之家4月6日消息根据外媒的报道，台积电宣布他们已经完成了5纳米工艺的基础设施设计，进一步晶体管密度和性能。台积电的5纳米工艺将利用再次采用EUV技术，从而提高产量和性能。根据台积电的说法，5纳米工艺比其7纳米工艺提升很大，以ArmCortex-A72内核为例，工艺改进使得逻辑密度提高1.8倍，时钟速度增加15％，SRAM和模拟电路面积减少，这意味着每个晶圆的芯片数量更多。该工艺适用于移动，互联......
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